英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列器件
2012-06-20 20:46:18 本站原創(chuàng)英飛凌科技股份公司高壓功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品部負(fù)責(zé)人Jan-Willem Reynaerts指出：“英飛凌已針對(duì)需要高效電源管理的市場(chǎng)推出了多項(xiàng)突破性技術(shù)。CoolSiCTM 也是一種革命性的創(chuàng)新技術(shù)，可將太陽(yáng)能逆變器的性能提升至新的水平。憑借新型SiC JFET技術(shù)，我們可以幫助客戶開(kāi)發(fā)出更好的氣候保護(hù)解決方案。”
與IGBT相比，新型 CoolSiCTM 1200V SiC JFET大幅度降低了開(kāi)關(guān)損耗，在不犧牲系統(tǒng)總體效率的情況下，可以支持更高的開(kāi)關(guān)頻率。這為使用更小的無(wú)源元件創(chuàng)造了條件，其結(jié)果是縮小客戶設(shè)計(jì)的產(chǎn)品的尺寸，降低其重量，并壓縮系統(tǒng)成本。換言之，設(shè)計(jì)人員可在不增加太陽(yáng)能逆變器體積的情況下，實(shí)現(xiàn)更高的輸出功率。
為了確保常通型JFET技術(shù)的安全性和易用性，英飛凌開(kāi)發(fā)出一種被稱(chēng)為直驅(qū)技術(shù)的概念。在這一概念中，JFET與外部低壓MOSFET和專(zhuān)用的驅(qū)動(dòng)芯片組合在一起，確保了安全的系統(tǒng)啟動(dòng)，以及快速可控的開(kāi)關(guān)。
CoolSiCTM JFET集成了一個(gè)體二極管，其開(kāi)關(guān)性能可媲美外置SiC肖特基勢(shì)壘二極管。這種組合最大限度提高了器件的效率、可靠性、安全性和易用性。
供貨和定價(jià)
CoolSiCTM JFET產(chǎn)品和驅(qū)動(dòng)芯片的首批樣品于2012年第二季度供貨。OEM量產(chǎn)預(yù)計(jì)將于2013年上半年開(kāi)始。IJW120R100T1 （100mOhm）的定價(jià)為每件24.90美元（
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