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恩智浦推出采用可焊性鍍錫側焊盤的MOSFET

2012-06-20 20:46:18 本站原創

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恩智浦半導體日前推出業內首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側焊盤的超薄DFN （分立式扁平無引腳）封裝MOSFET。這些獨特的側焊盤提供光學焊接檢測的優勢，與傳統無引腳封裝相比，焊接連接質量更好。

即將面世的新型 PMPB11EN和 PMPB20EN 30V N溝道MOSFET是采用恩智浦 DFN2020MD-6 (SOT1220) 封裝的20多類器件中率先推出的兩款產品。這兩款MOSFET的最大漏極電流(ID)大于10A，10V時的超低導通電阻Rds(on)分別為12 mOhm（典型值）和16.5 mOhm（典型值），因此導通損失小，功耗更低，電池使用壽命更長。
新型DFN2020 MOSFET高度僅為0.6毫米，比當今市場上大多數2 mm x 2 mm的產品更加輕薄，是智能手機和平板電腦等便攜應用設備中超小型負載開關、電源轉換器和充電開關的理想之選。該款MOSFET還適用于其他空間受限應用，其中包括直流電機、服務器和網絡通信以及LED照明，在這類應用中功率密度和效率尤為關鍵。DFN2020的封裝尺寸僅為標準SO8封裝的八分之一，提供與其相當的熱阻，能夠代替具有相同導通電阻Rds(on)值范圍的許多大型MOSFET封裝，如SO8封裝、3 mm x 3 mm封裝或TSSOP8封裝。

新型MOSFET提升了恩智浦超小型無引腳MOSFET產品線，截止到今年年末將有超過60種封裝，封裝尺寸為2 mm x 2 mm或1 mm x 0.6 mm。如今，恩智浦是超小型低導通電阻Rds(on) MOSFET的主要生產商，提供電平場效應晶體管(FET)和雙極晶體管技術。