Diodes新型 MOSFET離板高度減半
2012-05-05 14:42:42 本站原創Diodes Incorporated 推出一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4毫米，占板面積只有四平方毫米，是一款額定電壓為 -25V的P通道器件，體積較同類器件纖薄50%。同系列另一采用DFN2020E封裝的MOSFET則具有0.5毫米離板高度，較其他一般離板高度為0.6毫米的MOSFET纖薄20%。
DMP2039UFDE4針對負載開關應用，為電路設計人員提供3kV的電路保護，以免受人體本身的靜電放電所影響。這些最新推出的MOSFET擁有低典型RDS(on) 的特性，例如 -12V P通道的DMP1022UFDE，在4.5V的VGS下只有13mΩ，使電池充電應用的傳導損耗減至最少。
20V N通道的DMN2013UFDE在直流/直流降壓及升壓轉換器內，成為理想的負載開關或高速開關，并提供2kV的高靜電放電保護。DMN6040UFDE將會是首批采用DFN2020封裝的高電壓MOSFET之一，在60V的VDS下運行，并適合應用于系統微型化設計行業 (Small form-factor industrial) 及供熱通風與空氣調節系統 (HVAC) 控制。
新產品特別適合應用于極纖巧的便攜式產品設計，例如智能手機、平板電腦及數碼相機。首批MOSFET系列九款產品包括-12V、-20V、-25V、-40V的P通道MOSFET及12V、20V及60V的 N通道MOSFET器件。
