Diodes新型P通道MOSFET以更小巧封裝提高效率
2011-11-30 21:18:03 本站原創
這款新MOSFET采用超精密及高熱效率的DFN1616封裝，并具有極低的導通電阻 (RDS(on)) 特性，能將傳導損耗降至最低水平，從而延長電池壽命。例如在VGS為4.5V的條件下，該MOSFET的導通電阻僅為29mΩ，這比其最接近的競爭對手產品的導通電阻性能還要優越15%，有利于電源中斷及一般負載開關的應用。
DFN1616的標準離板剖面為0.5毫米，比其對手的產品薄20%，并只占2.56平方毫米的印刷電路板面積 (PCB)，比競爭對手同類型2毫米乘2毫米的較大封裝節省55%的空間。
同時，DMP1245UFCL為用戶提供防靜電放電 (ESD) 的增強保護。該MOSFET的額定閘極保護為3kV，比同類產品高出50%，因此對人為產生的靜電放電所造成的影響有很強的抵御作用。
