恩智浦
半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.宣布，其采用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V
MOSFET將有15款新產(chǎn)品開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個(gè)關(guān)鍵參數(shù)方面找到了最佳平衡點(diǎn)，并且具有行業(yè)最低的RDS
(on) （25V和30V均為亞1 mΩ級），是高性能、高可靠性開關(guān)應(yīng)用的理想之選。傳統(tǒng)方法主要著眼于降低RDS (on)
和Qg，而恩智浦NextPower則采用超結(jié)技術(shù)來優(yōu)化低RDS (on)、低Qoss、低Qg(tot)
與Qgd之間的平衡，從而實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大的開關(guān)性能，減少漏極輸出與源極引腳之間的損耗，同時(shí)提供卓越的SOA性能。此外，恩智浦LFPAK作為最堅(jiān)固的
Power-SO8封裝，尺寸緊湊，面積僅為5mm x 6mm，可在惡劣環(huán)境下提供出色的功率開關(guān)功能。
事實(shí)/要點(diǎn)：
• 恩智浦NextPower系列25V和30V MOSFET在以下六個(gè)參數(shù)方面性能表現(xiàn)優(yōu)異：
o 低RDS (on) —— 擁有行業(yè)最低RDS(on)的Power-SO8封裝產(chǎn)品 —— 在SYNC FET或功率OR-ing應(yīng)用下具有I2R損耗低、性能出色的特點(diǎn)
o 低Qoss，有利于減少漏極與源引腳之間的損耗，當(dāng)輸出引腳上出現(xiàn)電壓變化時(shí)，還可減少輸出電容 (Coss) 中存儲的損耗能量
o 低Miller電荷 (Qgd)，有利于減少開關(guān)損耗和高頻開關(guān)次數(shù)
o SOA性能可以極好地承受過載和故障條件
o 低柵極電荷 (Qg) 可以減少柵極驅(qū)動(dòng)電路中的損耗
o 出色的額定結(jié)點(diǎn)溫度Tj(max)，堅(jiān)固型Power-SO8 LFPAK封裝則為條件惡劣且對可靠性要求較高的環(huán)境提供了保障
• 主要應(yīng)用領(lǐng)域包括同步降壓穩(wěn)壓器、DC-DC轉(zhuǎn)換、穩(wěn)壓器模塊和功率OR-ing
型號：
• NextPower 25V
MOSFET：PSMN0R9-25YLC、PSMN1R1-25YLC、PSMN1R2-25YLC、PSMN1R7-25YLC、
PSMN1R9-25YLC、PSMN2R2-25YLC、PSMN2R9-25YLC、PSMN3R2-25YLC、PSMN3R7-25YLC、
PSMN4R0-25YLC
• NextPower 30V
MOSFET：PSMN1R0-30YLC、PSMN1R2-30YLC、PSMN1R5-30YLC、PSMN2R2-30YLC、
PSMN2R6-30YLC、PSMN3R2-30YLC、PSMN3R7-30YLC、PSMN4R1-30YLC、PSMN4R5-30YLC
