Infineon推出低通態電阻的30V功率MOSFET
2010-08-07 22:21:22 本站原創英飛凌科技股份公司近日面向大電流應用的汽車推出一款具備全球最低通態電阻的30V功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。全新的 OptiMOS－T2 30V MOSFET 是一款N溝道器件，在10ｖ柵源電壓條件下，漏極電流為180A，而通態電阻僅為０．9毫歐。采用D2PAK－7封裝的IPB180N03S4L－H0， 可滿足客戶對標準封裝功率 MOSFET的需求：以最低成本獲得高額定電流和最低通態電阻。
基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強大的第二代溝槽技術，OptiMOS-T2器件成為大電流汽車電機驅動應用、電動助力轉向（EPS）系統和汽車啟停系統的理想解決方案。
出于成本和效率原因，整個行業都開始轉向溝槽設計。OptiMOS-T2等功率MOSFET溝槽技術相對于以往的技術， 在通態電阻和柵電荷方面實現了大幅改進。這使得優值系數（FoM=柵電荷x通態電阻）達到業界最低水平。此外，英飛凌創新的大電流“Powerbond” 技術可解決MOSFET鍵合引線受限問題，降低鍵合引線通態電阻的降幅，并增強電流功能。通過使鍵合引線更涼能進一步提高可靠性。最新的 Powerbond技術可確保一個MOSFET具備多達4條500微米鍵合引線，使標準封裝器件具備180A的額定電流。
OptiMOS-T2技術和結實耐用的封裝經過精心設計，能夠在MSL1 （1級潮濕度）條件下，承受回流焊接過程中的260 °C高溫，并且采用無鉛電鍍，以符合RoHS標準。IPB180N03S4L-H0功率MOSFET完全符合汽車電子委員會（AEC-Q101）的規范要 求。英飛凌先進的溝槽技術具備低柵電荷、低電容、低開關損耗和出色的優值系數，可使電機效率達到新高，同時最大限度降低EMC輻射。此外，優化的柵電荷可 確保更小的驅動輸出級。
IPB180N03S4L-H0可滿足需要許多并聯MOSFET的大電流應用（超過500A）的要求。由于 IPB180N03S4L-H0具備180A額定電流，因此，可使大電流系統所需的并聯MOSFET減少一半，從而優化電流共享、熱性能和成本。由于汽車 電機逐步轉向脈寬調制（PWM）控制以提高效率，因此，OptiMOS-T2 30V器件還可提供電池反向連接保護功能。
供貨情況
具備180A漏極電流和僅0.9mΩ通態電阻的30V IPB180N03S4L-H0器件如今已實現批量生產。此外，英飛凌還提供另一種型號的器件——30V/180A （IPB180N03S4L-01）。該器件在10V柵源電壓條件下，具備1.05毫歐的通態電阻，適用于十分注重成本的應用。這兩款高功率MOSFET 均采用標準的D2PAK-7封裝。
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