全新HEXFET功率MOSFET產品
2010-07-02 18:51:05 本站原創國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優化銅夾和焊接芯片技術。
新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術來實現基準性能，適用于網絡和電信設備的DC-DC轉 換器、AC-DC開關電源（SMPS）及電機驅動開關等開關應用。由于新器件滿足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導通電阻 （RDS(on)）和柵極電荷（Qg），為客戶的特定應用提供優化的性能和更低成本。
IR 亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“由于新器件的尺寸僅為0.9mm，并具有標準引腳，可提供高額定電流和低導通電阻，因此與需要多個并行元件的解決方案相 比，具有更高的效率、功率密度和可靠性，因而非常適合電路板空間狹小的開關應用。”
所有器件都具有低熱阻（不到0.5 °C/W），符合MSL1 標準，所采用的環保材料既不含鉛、溴或鹵，也符合有害物質管制指令 (RoHS) 。
新器件現已接受訂單。
