ST推出先進的高性能功率封裝
2010-05-12 17:12:40 本站原創意法半導體推出一款先進的高性能功率封裝，這項新技術將會提高意法半導體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術的功率密度。
在一個尺寸僅為8x8mm的無引腳封裝外殼內，全新1mm高的貼裝封裝可容納工業標準的TO-220大小的裸片，并提供一個裸露的金屬漏極焊盤，有效排除內部產生的熱量。薄型封裝將使設計人員能夠設計更薄的電源外殼，為當今市場提供緊湊時尚的新產品。客戶可從兩個公司獲得這款新的標準產品：意法半導體和英飛凌（Infineon Technologies）均將推出采用這個創新封裝的MOSFET晶體管，意法半導體的產品名稱是PowerFLAT™ 8x8 HV，英飛凌的產品名稱是ThinPAK 8x8，從而為客戶提供高品質雙貨源供貨。
新封裝的纖薄外形和優異的散熱性能，結合意法半導體MDmesh V技術的無與倫比的超低單位裸片面積導通電阻RDS(ON) ，可大幅提高功率器件的功率密度和可靠性，節省印刷電路板空間。意法半導體將在現有的MDmesh V 產品陣容內加入PowerFLAT 8x8 HV封裝的MOSFET，目前已發布該系列首款產品：650V STL21N65M5。
STL21N65M5的主要特性：
RDS(ON)：0.190Ω
最大額定輸出電流 （ID）：17A
結到外殼熱阻率（Rthj-c）：1.0 ºC/W
采用PowerFLAT 8x8 HV封裝的STL21N65M5現已提供樣片，量產定于2010年7月。
關于意法半導體的MDmesh™ V技術:
MDmesh V是意法半導體的新一代多漏極網格技術，該項技術可最大限度地降低導通損耗，同時不會對開關性能產生很大的影響。采用這項技術的MOSFET能夠讓設計人員符合對電子產品能效有更高要求的環保設計法規，還能讓他們有機會在再生能源等新興產業中尋找市場機遇，因為在全球發展新興產業的浪潮中，最大限度地降低功率轉換損耗是降低每瓦成本的關鍵所在。
MDmesh V架構改進了晶體管的漏極結構，可有效降低漏源電壓降，結果，裸片單位面積的導通電阻非常低，尺寸小的器件也能取得超低的通態損耗。事實上，在采用TO-220標準封裝的650V MOSFET產品中，MDmesh V取得了世界最低的 RDS(ON) 記錄。
MDmesh V 器件的柵電荷量(Qg)也很低，在高速開關時能效優異，RDS(ON) x Qg 性能因數 (FOM)很小。新產品650V的擊穿電壓高于競爭品牌的600V產品的擊穿電壓，為設計工程師提供了十分寶貴的安全裕量。這些器件的 Vdss額定擊穿電壓很高，具有出色的耐dV/dt斜率能力，并100%經過雪崩測試。另一項優勢是，整齊的關斷波形有助于簡化柵極控制，降低對EMI濾波的要求。
現已上市的MDmesh V技術產品采用各種工業標準封裝，包括TO-220、TO-220FP、I2PAK、TO-247和Max247。
公司網址：www.stmicroelectronics.com.cn
