光刻模擬軟件迎接EUV和DPL挑戰(zhàn)
2010-02-23 14:43:19 本站原創(chuàng)KLA-Tencor 的制程控制信息部副總裁兼總經(jīng)理 Ed Charrier 表示：“在評(píng)估 2Xnm 及以下設(shè)計(jì)的多項(xiàng)光刻技術(shù)方面，研發(fā)人員面臨著一項(xiàng)異常復(fù)雜的任務(wù)。他們必須了解制程設(shè)計(jì)互動(dòng)如何影響刻印在晶圓上的圖案，包括掩膜板設(shè)計(jì)、掃描光刻機(jī)設(shè)置、晶圓表層形態(tài)和光刻膠成份的差異等影響。PROLITH X3.1 并不刻印測(cè)試晶圓，而是利用物理學(xué)基本原理來模擬圖形成像結(jié)果，以幫助研發(fā)人員研究和優(yōu)化光刻制程。新 X3.1 版 的EUV 和 LER 模型只需數(shù)分鐘就能產(chǎn)生精確結(jié)果，使之可以大幅縮短產(chǎn)品開發(fā)時(shí)間。此外，這項(xiàng)策略還能降低掃描光刻、光刻膠處理和 CD-SEM 等機(jī)臺(tái)用于可行性實(shí)驗(yàn)的時(shí)間，使得EUV 單元有更時(shí)間進(jìn)行整合與測(cè)試，或光刻單元用于額外生產(chǎn)運(yùn)行。”
PROLITH X3.1 包括已下幾項(xiàng)功能，其設(shè)計(jì)目的是讓研發(fā)人員能夠經(jīng)濟(jì)高效地研究不同的光刻技術(shù)：
-- 它是市場(chǎng)上第一款考慮光的量子行為和光刻膠中的離散反應(yīng)分子的隨機(jī)型產(chǎn)品，
能夠幫助研發(fā)人員：
-- 以數(shù)分鐘的運(yùn)行時(shí)間精確模擬 LER，讓在實(shí)際的晶圓廠中研究各種制程條件
對(duì) LER 的影響成為現(xiàn)實(shí)；
-- 對(duì)圖案刻印的可重復(fù)性以及對(duì)成品率的影響進(jìn)行研究；
-- 對(duì)線寬和接觸孔 CD 的一致性進(jìn)行預(yù)測(cè)；
-- 判定可用的制程窗口；以及
-- 檢查不同的光刻膠反應(yīng)加載級(jí)別如何影響刻印（例如制程窗口、CD 控制、缺
陷級(jí)別），從而讓材料制造商能夠以顯著降低的成本探索光刻膠配方；
-- 市場(chǎng)上第一款光電子模型，用于模擬 EUV 光刻制程結(jié)果；
-- 直觀的晶圓表層形態(tài)設(shè)置和改善后的晶圓表層形態(tài)模型允許迅速、方便地對(duì)雙次
和單次圖形成像非平面光刻層積和諸如 FinFET 等下一代非平面電子器件進(jìn)行評(píng)
估；
-- 超過 60 個(gè)高精確度、經(jīng)過校準(zhǔn)的光刻膠模型，可供立即使用；
-- 在一臺(tái) 32 位個(gè)人電腦上運(yùn)行的直觀界面能夠提供迅速、精確的光刻模型，而無
需升級(jí)電腦或使用超級(jí)電腦；
-- 可以作為業(yè)界領(lǐng)先的 PROLITH 平臺(tái)的升級(jí)產(chǎn)品使用，提供擴(kuò)展能力，以保護(hù)研發(fā)
人員的現(xiàn)有資本投資。
PROLITH X3.1 是 KLA-Tencor 應(yīng)對(duì)先進(jìn)光刻挑戰(zhàn)的綜合工具集中的最新產(chǎn)品。關(guān)于 PROLITH X3.1光刻模擬軟件如何能夠幫助研發(fā)人員經(jīng)濟(jì)高效地評(píng)估先進(jìn)光刻技術(shù),請(qǐng)?jiān)L問產(chǎn)品網(wǎng)頁：http://www.kla-tencor.com/lithography-modeling/chip-prolith.html 。
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