光刻模擬軟件迎接EUV和DPL挑戰
2010-02-23 14:43:19 本站原創KLA-Tencor 的制程控制信息部副總裁兼總經理 Ed Charrier 表示：“在評估 2Xnm 及以下設計的多項光刻技術方面，研發人員面臨著一項異常復雜的任務。他們必須了解制程設計互動如何影響刻印在晶圓上的圖案，包括掩膜板設計、掃描光刻機設置、晶圓表層形態和光刻膠成份的差異等影響。PROLITH X3.1 并不刻印測試晶圓，而是利用物理學基本原理來模擬圖形成像結果，以幫助研發人員研究和優化光刻制程。新 X3.1 版 的EUV 和 LER 模型只需數分鐘就能產生精確結果，使之可以大幅縮短產品開發時間。此外，這項策略還能降低掃描光刻、光刻膠處理和 CD-SEM 等機臺用于可行性實驗的時間，使得EUV 單元有更時間進行整合與測試，或光刻單元用于額外生產運行。”
PROLITH X3.1 包括已下幾項功能，其設計目的是讓研發人員能夠經濟高效地研究不同的光刻技術：
-- 它是市場上第一款考慮光的量子行為和光刻膠中的離散反應分子的隨機型產品，
能夠幫助研發人員：
-- 以數分鐘的運行時間精確模擬 LER，讓在實際的晶圓廠中研究各種制程條件
對 LER 的影響成為現實；
-- 對圖案刻印的可重復性以及對成品率的影響進行研究；
-- 對線寬和接觸孔 CD 的一致性進行預測；
-- 判定可用的制程窗口；以及
-- 檢查不同的光刻膠反應加載級別如何影響刻印（例如制程窗口、CD 控制、缺
陷級別），從而讓材料制造商能夠以顯著降低的成本探索光刻膠配方；
-- 市場上第一款光電子模型，用于模擬 EUV 光刻制程結果；
-- 直觀的晶圓表層形態設置和改善后的晶圓表層形態模型允許迅速、方便地對雙次
和單次圖形成像非平面光刻層積和諸如 FinFET 等下一代非平面電子器件進行評
估；
-- 超過 60 個高精確度、經過校準的光刻膠模型，可供立即使用；
-- 在一臺 32 位個人電腦上運行的直觀界面能夠提供迅速、精確的光刻模型，而無
需升級電腦或使用超級電腦；
-- 可以作為業界領先的 PROLITH 平臺的升級產品使用，提供擴展能力，以保護研發
人員的現有資本投資。
PROLITH X3.1 是 KLA-Tencor 應對先進光刻挑戰的綜合工具集中的最新產品。關于 PROLITH X3.1光刻模擬軟件如何能夠幫助研發人員經濟高效地評估先進光刻技術,請訪問產品網頁：http://www.kla-tencor.com/lithography-modeling/chip-prolith.html 。
