Vishay推出業界最小的芯片級MOSFET
2009-11-04 14:50:08 本站原創器件最大尺寸僅為1mm x 1mm，且導通電阻比非芯片級器件提高10倍
賓夕法尼亞、MALVERN — 2009 年 11 月 04 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今為止業界最小的芯片級功率MOSFET。
在種類繁多的便攜式設備中，20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負載開關、電池開關和充電開關應用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間，以及/或是實現更多的功能。與市場上尺寸與之最接近的芯片級功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的MICRO FOOT的占位小9%。
在4.5V柵極驅動下，Si8461DB的導通電阻為0.1Ω，比非芯片級器件提高了10倍，而且具有相近的占位尺寸，為節約便攜設備中的電池能量提供了極大幫助。除4.5V的電壓等級，Si8461DB還確定了在2.5V、1.8V和1.5V電壓時的最大導通電阻，導通電阻與采用便攜式系統中常見的更小輸入信號的設備相匹配。對于充電開關等需要更高輸入電壓的應用，Si8465DB具有12V的柵源電壓，在4.5V和2.5V柵極驅動時的導通電阻分別為0.104Ω和0.148Ω。
Si8461DB和Si8465DB現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。
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