消費(fèi)電子行業(yè)日益擔(dān)心浮柵NVM（非易失性內(nèi)存）不能繼續(xù)以每比特更低成本來(lái)提供更高的存儲(chǔ)功能，而每比特更低成本則是驅(qū)動(dòng)NVM市場(chǎng)發(fā)展的根本
設(shè)計(jì)任何芯片的關(guān)鍵步驟之一就是在獲得第一批芯片后進(jìn)行的測(cè)試。在測(cè)試中，您終于可以看到全部悉心工作的成果，并確定芯片是否按照設(shè)計(jì)和仿
現(xiàn)代寬禁帶功率器件(SiC, GaN)上的開(kāi)關(guān)晶體管速度越來(lái)越快，使得測(cè)量和表征成為相當(dāng)大的挑戰(zhàn)，在某些情況下幾乎不可能實(shí)現(xiàn)。隔離探測(cè)技術(shù)
隨著新基建概念的提出，5G和數(shù)據(jù)中心的建設(shè)在2020年進(jìn)入快車道，海量的光模塊需求引領(lǐng)著行業(yè)的更新?lián)Q代，對(duì)光器件提出了更高的要求。在光通
各種各樣的應(yīng)用通常要在許多類型的器件上執(zhí)行電容-電壓(C-V)和AC阻抗測(cè)量。例如，C-V測(cè)量用來(lái)確定以下器件參數(shù)：MOSCAPs的柵極氧化物電容、
半導(dǎo)體電容一般是皮法 (pF) 級(jí)或納法(nF) 級(jí)。許多商用 LCR 或電容表可以使用適當(dāng)?shù)臏y(cè)量技術(shù)測(cè)量這些值，包括補(bǔ)償技術(shù)。但是，某些應(yīng)
由于可以在較高頻率、電壓和溫度下工作且功率損耗較低，寬禁帶半導(dǎo)體（SiC 和 GaN）現(xiàn)在配合傳統(tǒng)硅一同用于汽車和 RF 通信等嚴(yán)苛應(yīng)用中
聚焦于PCIe 3 0和4 0中的動(dòng)態(tài)均衡技術(shù)，本文介紹其原理、實(shí)現(xiàn)及其相關(guān)的一致性測(cè)試，這種動(dòng)態(tài)均衡技術(shù)被稱作Link Equalization（鏈路均衡
@2003 - 2025 EETOP
京ICP備 15035084號(hào) 京公網(wǎng)安備 11010502037710
