本月早些時候，芝加哥大學普利茲克分子工程學院的研究人員展示了一種技術，該技術能夠利用原子大小的晶體缺陷來表示1和0，從而在“僅1mm3大小的小立方體材料內實現極高的密度，存儲太字節級別的存儲比特(TB)”。芝加哥大學普利茲克分子工程學院助理教授及實驗室負責人 Tian Zhong ，解釋說：“在那個毫米立方體中，我們已在其中制造了帶電原子缺陷間隙‘1’和未帶電間隙‘0’，我們證明了至少有大約 10 億個基于原子的存儲器——經典存儲器、傳統存儲器?！?/span>博士后研究員、原文第一作者萊昂納多·弗蘭卡（Leonardo Fran?a）在解釋這一切如何運作的更細節時表示：“我們找到了一種方法，可以將應用于輻射劑量學的固體物理學與一個在量子方面工作很強的研究小組結合起來，盡管我們的工作并不完全是量子。對研究量子系統的人有需求，但同時，提高傳統非易失性存儲器的存儲容量也有需求。我們的工作正是建立在量子和光學數據存儲之間的這一交界處?！?/span>換句話說，這項工作源于兩個關鍵來源。首先，現有的輻射劑量計，用于測量人們在醫院和粒子加速器中暴露于多少輻射。其次，現有的量子存儲研究已經使用晶體缺陷來制造量子比特，而不是存儲傳統比特。我們之前也曾報道過在非傳統媒介上進行高密度存儲的其他一些努力。與這個故事最相關的是號稱能在5英寸正方形內實現360TB存儲的“5D存儲晶體”（參考閱讀：‘5D’晶體存儲可保存人類基因組幾十億年！）……但考慮到一毫米立方體內至少能存儲2-3TB，然而，考慮到一毫米立方體內至少能存儲2-3太字節的數據，并且5英寸大約相當于127個這樣的毫米立方體，因此這些存儲晶體在存儲容量上似乎至少與那些5D記憶晶體相當，甚至可能更勝一籌。
