三星或將在2納米階段彎道超車臺積電
2021-08-10 12:55:50 EETOP韓國媒體《BusinessKorea》報道，相較鰭式晶體管(FinFET)，GAA 是金屬閘極全面性包覆，為環狀結構，比FinFET 金屬閘極只包覆3 面來說，增加更多半導體電路，再以閘極包覆納米線，提高電路控制和穩定性，提升芯片運算效能，并降低芯片功耗。
因GAA 技術是半導體制程革新，因此被三星視為超車臺積電的重要武器。報道指出，雖然就3 納米制程發展狀況，臺積電開始與蘋果、英特爾合作3 納米制程測試，預計2022 下半年量產，而三星3 納米制程最快要到2022 年才會推出，正式量產時間則到2023 年，仍舊落后臺積電。英特爾目前還在7 納米制程，落后臺積電與三星約一代。
若從導入GAA 制程角度來看，三星就可能超越臺積電。原因是三星2022 年就開始試產3 納米制程導入GAA，但臺積電要到2023 年才開始由2 納米導入GAA，更不用說英特爾2024 年才采用改良自GAA 制程技術的RibbonFET 制程生產2 納米。三星進一步領先競爭對手，也有機會取得客戶青睞。
雖然市場第一個量產3 納米制程的頭銜將由臺積電拿下，但先導入GAA 制程技術是三星。透過GAA 制程改變，三星預計可彎道超車臺積電。
李在镕出獄將尋找更多大規模并購，實現彎道超車臺積電
此外三星電子副會長李在镕將于本周五（13日）假釋出獄，但能否立即復職還有變數。李在镕入獄后的幾個月，全球陷入芯片荒的狀態，而外媒認為李在镕這次假釋出獄有助于重大并購以及在美投資案。
法務部長樸范界表示，考慮到民眾情緒、李在镕獄中態度，以及Covid-19 疫情對國家和全球經濟等因素，決定給予李在镕假釋機會。而李在镕已經在上個月服滿6成刑期，符合假釋規定的服滿5 到9 成刑期。
雖然李在镕本周五可以假釋出獄，但依照韓國規定，假釋后的5年內必須受就業限制。
李在镕今年1 月因涉及與韓國前總統樸槿惠親信干政事件有關的行賄案，被韓國首爾高等法院判處有期徒刑2 年6 個月，當庭逮捕，扣除2017 年先遭羈押的時間，剩約1 年半刑期，原本預計明年中刑滿。
在他入獄后的幾個月，全球半導體產業供應緊張，加上三星促成了美國Covid-19 疫苗交易，使商界領袖和政治家不斷要求當局釋放李在镕。但社運人士批評，此舉證明韓國對于財閥有特別優待。
彭博社認為，李在镕如果重返三星，很可能加快美國170 億美元的投資計劃或重大并購。三星已經宣布計劃在美建立芯片廠，以縮小跟臺積電的差距，該舉動同時也促成三星生物制劑（SamsungBiologics）與莫德納生產疫苗的協議。
花旗分析師Peter Lee則認為，李在镕出獄后，三星將尋找更多大規模并購的機會，推動公司的長期成長，實現彎道超車臺積電。
