華人胡正明獲美國最高技術獎：發明FinFET
2015-12-23 21:48:12 n
據白宮官網報道，美國東部時間22日，2015年美國最高科技獎獲獎名單公布，包括9名國家科學獎獲得者（National Medal of Science）和8名國家技術和創新獎（National Medal of Technology and Innovation）獲得者。其中美籍華人科學家胡正明榮獲年度國家技術和創新獎。
胡正明教授是鰭式場效晶體管（FinFET）的發明者，如今三星、臺積電能做到14nm/16nm都依賴這項技術。他1947年出生于北京豆芽菜胡同，在臺灣長大，后來考入加州大學伯克利分校。
在華為海思麒麟950的發布會上，胡正明教授曾現身VCR，據他介紹，FinFET的兩個突破，一是把晶體做薄后解決了漏電問題，二是向上發展，晶片內構從水平變成垂直。
胡認為，FinFET的真正影響是打破了原來英特爾對全世界宣布的將來半導體的限制，這項技術現在仍看不到極限。
2010年后，Bulk CMOS工藝技術在20nm走到盡頭，胡教授的FinFET和FD-SOI工藝發明得以使摩爾定律在今天延續傳奇。
下面的視頻有胡正明教授講述個人生平及FinFET的由來：(點擊觀看視頻）
