日前
英特爾(Intel)對外宣布，10納米
芯片將順延至2017年下半推出，讓外界一度認為摩
爾定律(Moore's Law)陳述的微縮發展已出現困難。不過，從美西
半導體設備暨材料展(SEMICON
West)上許多廠商宣布新消息來看，外界若斷定摩爾定律已死的說法仍言過其實。
據PCMag.com報導，外界原先預期
英特爾10納米產品將在2016年底或2017年初推出，不過，執行長Brian Krzanich日前宣布將順延至下半，其另一款14納米產品線Skylake
處理器，則預計2015年第3季開始出貨。
Krzanich也指出，采Skylake架構的14納米Kaby Lake
芯片也會在2016年下半推出，第一代10納米Cannonlake產品則預計2017年下半會問世。
過去
英特爾從22納米推進至14納米也傳出延誤，Krzanich認為，每邁進新節點出現延誤，主要是與微影技術及多重曝光步驟有關。他并指出，預期10納米
芯片也還不會采用極紫外光(
EUV)。
整
體而言，每邁進至新制程節點約需2.5年，在從10納米進展7納米時，該公司判斷時程也會繼續觀察
EUV是否成熟、材料科學進展與產品復雜度等因素。不
過，對于負責替高通(Qualcomm)、聯發科與NVIDIA等生產
芯片的晶圓廠而言，目前
芯片微縮進展似乎反而在加速中。
以
臺積電為例，該公司宣布2017年第1季推出10納米仍在進度內，2015年第2季16納米鰭式場效電晶體(FinFET)已量產，同年7月開始出貨給客戶。
臺積電共同執行長劉德音表示，10納米制程發展尚在軌道上，預計2017年初可望出貨。
劉德音并指出，相較16納米制程，10納米制程速度快上15%、功耗減少35%并擁有2倍閘極密度。如果上述一切按照規劃進行，外界預期以
臺積電10納米制程生產的產品，可望比
英特爾10納米生產的產品提早1季出現。
另
外，三星電子(Samsung
Electronics)日前也表示，2016年底前將開始量產10納米
芯片。該公司并在2015年初生產14納米FinFET產品Exynos 7
Octa，供其Galaxy S6使用。三星也授權GlobalFoundries使用其14納米技術，后者客戶包括超微(
AMD)。
GlobalFoundries
則計劃將推出22納米全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon On
Insulator；FD-SOI)技術。GlobalFoundries指出，新制程技術除可提高效能，也適合主流移動、
物聯網(IoT)、
射頻
(
RF)與網路市場。而且相較14納米FinFET產品，其制程可減少近5成微影層數進而降低成本。
在美西
半導體設備暨材料展上，業者也普遍取得共識，
半導體業發展下一步將是尋找新的替代材料，例如矽鍺(SiGe)與砷化銦鎵(InGaAs)。
在微影技術上，
芯片設備制造商
ASML表示，雖然目標鎖定讓
EUV使用在7納米上，但最多只能使用在5~10層關鍵層，其余仍需交由193納米微影完成。該公司也證實，
英特爾采購6套
EUV系統，預計2套2015年可望交貨。
另外，由于目前DRAM微縮進展已放緩，未來若要在成本或密度上取得進展，則需仰賴額外制程容量、大尺寸晶圓、3D
芯片疊層或磁性存儲器(MRAM)等。
至
于NAND Flash雖然微縮進展也有難度，但新的3D NAND已是新興焦點，其中三星已開始量產3D
NAND。
英特爾及美光科技(Micron)與SK海力士(SK Hynix)也預計2015年將量產3D
NAND，隔年東芝(Toshiba)與新帝(SanDisk)將跟進。
因此設備廠一致認為，3D NAND進展確實較外界預期快。
