聯電完成14nm制程FinFET結構晶體管芯片流片
2013-06-29 12:27:13 本站原創
在Synopsys 的協助下，臺灣聯電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術的測試用芯片日前完成了流片。聯電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動14nm制程FinFET產品的制造，而這次這款測試芯片完成流片設計則顯然向實現這一目標又邁進了一步，當然流片完成之后還需要對過程工藝等等項目進行完善和改進，還有大量工作要做。
近年來，在臺積電，Globalfoundries，三星等老牌代工商的沖擊下，聯電在代工行業的排名一再下跌，更何況Intel也開始染指代工市場。在之前一輪的28nm HKMG制程技術競賽中，聯電便落在了臺積電的后面，所幸聯電后來與IBM技術發展聯盟達成了協議，要共同開發14/10nm級別FinFET制程技術。
當然，要把虛的電路設計高效快速地轉換成實的可制造性好的實際電路布局，還離不開EDA軟件的幫忙，這次聯電的流片設計就是在Synopsys 的DesignWare和StarRC兩款EDA軟件的幫助下實現的。
