東芝推出采用最新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET，可大幅提高電源效率
2022-04-02 09:27:56 東芝電子中國上海，2022年3月31日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝，適用于工業設備開關電源，其中包括數據中心電源和通信基站電源。該產品于今日開始支持批量出貨。
與使用當前一代“U-MOSⅧ-H”工藝的150V產品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源導通電阻下降約42%。對新型MOSFET的結構優化促進實現源漏導通電阻和兩項電荷特性[2]之間的平衡[3]，從而實現了優異的低損耗特性。此外，開關操作時漏極和源極之間的尖峰電壓降低，有助于減少開關電源的電磁干擾（EMI）。該產品提供SOP Advance和更為廣泛采用的SOP Advance（N）這兩種類型的表面貼裝封裝。
與此同時，東芝還提供各類工具，為開關電源的電路設計提供支持。除了能快速驗證電路功能的G0 SPICE模型，現在還提供能精確再現瞬態特性的高精度G2 SPICE模型。
東芝將進一步擴大其MOSFET產品線，通過減少損耗提高設備電源效率，進而幫助其降低功耗。
? 應用：
- 通信設備電源
- 開關電源（高效率DC-DC轉換器等）
? 特性：
- 優異的低損耗特性（在導通電阻和柵開關電荷及輸出電荷間取得平衡）
- 卓越的導通電阻：RDS(ON)＝9.0mΩ（最大值）@VGS＝10V
- 高額定結溫：Tch（最大值）＝175℃
? 主要規格：
（除非另有說明，@Ta＝25℃）
器件型號 | TPH9R00CQH | |||
絕對最大 額定值 | 漏源電壓VDSS（V） | 150 | ||
漏極電流（直流） ID（A） | @Tc＝25℃ | 64 | ||
結溫Tch（℃） | 175 | |||
電氣特性 | 漏源導通電阻 RDS(ON)最大值（mΩ） | @VGS＝10V | 9.0 | |
@VGS＝8V | 11 | |||
總柵電荷（柵極-源極＋柵極-漏極） Qg典型值（nC） | 44 | |||
柵極開關電荷Qsw典型值（nC） | 11.7 | |||
輸出電荷Qoss典型值（nC） | 87 | |||
輸入電容Ciss典型值（pF） | 3500 | |||
封裝 | 名稱 | SOP Advance | SOP Advance（N） | |
尺寸典型值（mm） | 5.0×6.0 | 4.9×6.1 | ||
庫存查詢與購買 | 在線購買 | |||
注：
[1] 截至2022年3月的東芝調查。
[2] 柵極開關電荷和輸出電荷。
[3] 與現有產品TPH1500CNH（U-MOSⅧ-H系列）相比，該產品將漏源導通電阻×柵開關電荷提高了大約20%，漏源導通電阻×輸出電荷提高了大約28%。
如需了解相關新產品的更多信息，請訪問以下網址：
TPH9R00CQH
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/intelligent-power-ics/detail.TPH9R00CQH.html
如需了解相關東芝MOSFET的更多信息，請訪問以下網址：
MOSFET
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets.html
如需了解高準確性SPICE模型（G2模型）的更多信息，請訪問以下網址：
G2模型
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/knowledge/highlighted-contents/articles/simulating-the-transient-characteristics-of-mosfet-more-accurately.html
如需了解相關新產品在線分銷商網站的供貨情況，請訪問以下網址：
TPH9R00CQH
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPH9R00CQH.html
*本文提及的公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
*本文檔中的產品價格和規格、服務內容和聯系方式等信息，在公告之日仍為最新信息，但如有變更，恕不另行通知。
