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東芝面向車載應用推出采用緊湊型封裝的100V N溝道功率MOSFET

2019-12-26 16:11:40 東芝

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東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款面向車載48V電氣系統應用的新型100V N溝道功率MOSFET。該系列包括具備低導通電阻的“XPH4R10ANB”-其漏極電流為70A，以及“XPH6R30ANB”-其漏極電流為45A。批量生產和出貨計劃于今天開始。

MOSFET產品圖

新產品是東芝首款[1]采用緊湊型SOP Advance（WF）封裝的車用100V N溝道功率MOSFET。封裝采用可焊錫側翼端子結構，安裝在電路板上時能夠進行自動目視檢查，從而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低導通電阻有利于降低設備功耗；XPH4R10ANB擁有業界領先的[2]低導通電阻。

應用：
?汽車設備
電源裝置（DC-DC轉換器）和LED頭燈等（電機驅動、開關穩壓器和負載開關）

特性：
?東芝的首款[1]100V車用產品使用小型表面貼裝SOP Advance（WF）封裝
?通過AEC-Q101認證
?低導通電阻：
RDS(ON)=4.1m?（最大值）@VGS=10V（XPH4R10ANB）
RDS(ON)=6.3m?（最大值）@VGS=10V（XPH6R30ANB）
?采用可焊錫側翼端子結構的SOP Advance（WF）封裝

主要規格：
（除非另有說明，@Ta=25°C）

器件型號		XPH4R10ANB	XPH6R30ANB
極性		N溝道
絕對最大額定值	漏源極電壓 VDSS （V）	100
	漏極電流（DC） ID （A）	70	45
	漏極電流（脈沖） IDP （A）	210	135
	溝道溫度 Tch （℃）	175
漏源極導通電阻 RDS(ON)最大值（mΩ）	@VGS=6V	6.2	9.5
	@VGS=10V	4.1	6.3
溝道至外殼熱阻 Zth(ch-c) 最大值 @Tc=25℃ （℃/W）		0.88	1.13
封裝		SOP Advance（WF）
產品系列		U-MOSVIII-H	U-MOSVIII-H

注釋：
[1] 截至2019年12月25日
[2] 在同樣規格的產品中，截至2019年12月25日。東芝調查。

如需了解有關新產品的更多信息，請訪問以下網址：
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/product/igbt-iegt/igbt/detail.XPH4R10ANB.html
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/product/igbt-iegt/igbt/detail.XPH6R30ANB.html

如需了解有關東芝車載MOSFET的更多信息，請訪問以下網址：
https://toshiba.semicon-storage.com/cn/product/automotive/automotive-mosfet.html

*公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。

關鍵詞：東芝 MOSFET