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東芝推出40V電壓功率MOSFET“U-MOSIX-H”系列

2014-12-02 20:09:51 本站原創(chuàng)
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東京—東芝公司(TOKYO:6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布推出40V電壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)“U-MOS IX-H”系列。相比東芝傳統(tǒng)的U-MOS VI-H系列,新系列減少了76%的導(dǎo)通電阻,實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級的低導(dǎo)通電阻[1]。此外,它還減少了Qoss[2]的增加,從而提高開關(guān)電源的效率。樣品出貨即日起啟動。

注:

·[1]截至2014年11月4日。東芝調(diào)查。

·[2]Qoss:輸出電荷。

主要特性

·業(yè)界頂級的低導(dǎo)通電阻:0.85mΩ(最大值)

·業(yè)界頂級的低RDSON・Qoss:60mΩ・nC

應(yīng)用

適用于服務(wù)器和電信基站的高效開關(guān)電源

主要規(guī)格

部件名稱

封裝

VDSS(V)

RDSON
最大值(mΩ)
VGS=10V時

Ciss
典型值
(pF)

Qoss
典型值
(nC)

TPHR8504PL

SOP Advance

40

0.85

7370

85.4

欲了解更多關(guān)于東芝MOSFET產(chǎn)品,請?jiān)L問:

http://toshiba.semicon-storage.com/cn/product/mosfet.html

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