東芝推出40V電壓功率MOSFET“U-MOSIX-H”系列
2014-12-02 20:09:51 本站原創(chuàng)東京—東芝公司（TOKYO：6502）旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布推出40V電壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）“U-MOS IX-H”系列。相比東芝傳統(tǒng)的U-MOS VI-H系列，新系列減少了76％的導(dǎo)通電阻，實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)的低導(dǎo)通電阻[1]。此外，它還減少了Qoss[2]的增加，從而提高開(kāi)關(guān)電源的效率。樣品出貨即日起啟動(dòng)。
注：
·[1]截至2014年11月4日。東芝調(diào)查。
·[2]Qoss：輸出電荷。
主要特性·業(yè)界頂級(jí)的低導(dǎo)通電阻：0.85mΩ（最大值）
·業(yè)界頂級(jí)的低RDS（ON）・Qoss：60mΩ・nC
應(yīng)用適用于服務(wù)器和電信基站的高效開(kāi)關(guān)電源
主要規(guī)格部件名稱 | 封裝 | VDSS（V） | RDS（ON） | Ciss | Qoss |
TPHR8504PL | SOP Advance | 40 | 0.85 | 7370 | 85.4 |
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http://toshiba.semicon-storage.com/cn/product/mosfet.html
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