IR的電池保護(hù)MOSFET系列為移動應(yīng)用提供具有成本效益的靈活解決方案
2014-12-02 20:10:24 本站原創(chuàng) |
IR近日針對鋰離子電池保護(hù)應(yīng)用推出配備IR最新低壓MOSFET硅技術(shù)的一系列器件，包括IRL6297SD雙N通道DirectFETMOSFET。
全新功率MOSFET具有極低的導(dǎo)通電阻，可大幅減少導(dǎo)通損耗。產(chǎn)品可作為N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高柵極驅(qū)動從12Vgs起，非常適合包含了兩個(gè)串聯(lián)電池的電池保護(hù)電路。IRL6297SD在精密且能高效散熱的小罐式DirectFET封裝內(nèi)提供兩個(gè)采用共漏極配置的20V N通道MOSFET。
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IR擁有適合電池管理的廣泛的MOSFET產(chǎn)品系列，提供行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝以及適合精密設(shè)計(jì)的小罐式雙DirectFET封裝。新器件具有低導(dǎo)通電阻，可替代采用較大封裝的MOSFET，從而節(jié)省電路板空間及系統(tǒng)成本?！?/p>
所有新產(chǎn)品均不含鉛、溴和鹵，符合第一級濕度敏感度標(biāo)準(zhǔn) (MSL1)及電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)。
規(guī)格
器件 | 通道類型 | 配置 | 封裝 | VBRDSS | 最大VGS | 4.5V下的 最大導(dǎo)通電阻 | 2.5V下的 最大導(dǎo)通電阻 | 典型QG |
IRL6297SD | N | 雙共漏極 | DirectFET SA | 20 | 12 | 4.9 | 6.9 | 54 |
IRLML2246 | P | 單 | SOT-23 | -20 | 12 | -135 | -236 | 2.9 |
IRLML2244 | P | 單 | SOT-23 | -20 | 12 | -54 | -95 | 6.9 |
IRLML6244 | N | 單 | SOT-23 | 20 | 12 | 21 | 27 | 8.9 |
IRLML6246 | N | 單 | SOT-23 | 20 | 12 | 46 | 66 | 3.5 |
IRLML6344 | N | 單 | SOT-23 | 30 | 12 | 29 | 37 | 6.8 |
IRLML6346 | N | 單 | SOT-23 | 30 | 12 | 63 | 80 | 2.9 |
IRLHS2242 | P | 單 | PQFN 2x2 | -20 | 12 | -31 | -53 | 12 |
IRLHS6242 | N | 單 | PQFN 2x2 | 20 | 12 | 11.7 | 15.5 | 14 |
IRLHS6276 | N | 雙獨(dú)立 | PQFN 2x2 | 20 | 12 | 45 | 62 | 3.1 |
IRLHS6342 | N | 單 | PQFN 2x2 | 30 | 12 | 15.5 | 19.5 | 11 |
IRLHS6376 | N | 雙獨(dú)立 | PQFN 2x2 | 30 | 12 | 82 | 2.8 | |
IRLTS2242 | P | 單 | TSOP-6 | -20 | 12 | -32 | -55 | 12 |
IRLTS6342 | N | 單 | TSOP-6 | 30 | 12 | 17.5 | 22 | 11 |
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