提前一季投片 賽靈思已在臺積電投產(chǎn)首款20nm PLD
2013-07-12 09:47:17 本站原創(chuàng)賽靈思(Xilinx)9日宣布，已經(jīng)開始在臺積電投片業(yè)界首款20納米可編程邏輯元件(PLD)，以及業(yè)界首款20納米全編程(AllProgrammable)元件。業(yè)界指出，賽靈思宣布進(jìn)入20納米世代，代表臺積電20納米已提前一季進(jìn)入投片階段。
臺積電20納米已經(jīng)研發(fā)完成，正在積極建置20納米生產(chǎn)線，包括竹科超大型晶圓廠(GigaFab)Fab12第6期，以及南科Fab14第5期及第6期。臺積電原本預(yù)計今年第4季才會開始投片，明年首季進(jìn)入量產(chǎn)階段，但賽靈思提前在第3季宣布20納米芯片開始投片，代表臺積電20納米投產(chǎn)進(jìn)度已較原本規(guī)畫提前一季進(jìn)行。
賽靈思宣布，20納米PLD芯片及全編程元件已經(jīng)開始在臺積電投片，同時，賽靈思亦著手建置業(yè)界第一個特殊應(yīng)用芯片(ASIC)等級可編程架構(gòu)UltraScale，將由28納米快速轉(zhuǎn)進(jìn)20納米世代。同時，最新開發(fā)的UltraScale架構(gòu)可將20納米平面制程，擴(kuò)展至16納米及更先進(jìn)的鰭式場效晶體管(FinFET)技術(shù)，并可從單芯片進(jìn)展到3DIC。
業(yè)界人士認(rèn)為，在賽靈思的協(xié)力合作下，臺積電今年底應(yīng)該可開始進(jìn)行16納米試產(chǎn)，成功將20納米微縮至16納米的時間提前一年，亦即2015年就會如期進(jìn)入16納米FinFET量產(chǎn)，臺積電與英特爾間技術(shù)時間差距，將因此縮短到1年，如此一來就不必再怕英特爾搶單。
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