十代酷睿Ice Lake確認使用10nm+工藝 良率沒問題了
2019-11-08 09:50:00 快科技對于Intel的10nm工藝，大家都知道這代工藝拖延了很久，按之前的Tick-Tock進度，它應該在2016年就量產了，實際上今年6月份的Ice Lake十代酷睿處理器才真正實現了HVM大規模量產。
10nm多次延期的原因，Intel也解釋過幾次了，Intel加拿大區域主管Denis Gaudreaut日前又重申了一遍：
“在規劃22nm、14nm、10nm的過程中，我想我們在架構密度方面有些過于激進了，大大增加了復雜性，結果進展不順，遇到了一些挫折，這往往會花費數月乃至數年時間才能解決。”
那么10nm工藝到底難在哪里呢？這個也好說，此前半導體工藝按照摩爾定律發展的話，新一代工藝通常是2x微縮，而Intel在14nm到10nm升級中一下子跳躍到了2.7x微縮，10nm工藝就實現了100MTr/mm2的晶體管密度，是臺積電、三星7nm工藝的水平。
制造難度提升導致了10nm的良率一直無法解決，進度也一直延期，一直拖到了今年。
現在問題又來了，Ice Lake處理器使用的10nm工藝跟之前酷睿i3-8121U所用的10nm工藝是不是一樣的呢？這個問題Intel一直沒有正面回應過，但是Techinsights搞明白了。
Techinsights日前發布了10nm Ice Lake處理器酷睿i7-1065G7的拆解分析，指出它使用的是10nm+工藝，FinFET晶體管結構也改了以提高性能，觸點布局也變了以提升良率。
簡單來說，Techinsights的拆解證實了Intel現在量產的10nm工藝實際上就是10nm+，而第一代10nm工藝隨著酷睿i3-8121U的退市已經徹底再見了。
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