AMD Zen 3架構(gòu)將使用7nm EUV工藝,晶體管密度提升20%
2019-04-18 14:04:03 超能網(wǎng)
PCGamesN發(fā)文表示,與現(xiàn)在的7nm DUV深紫外光刻相比,Zen 3架構(gòu)所用的7nm EUV極紫外光刻可將晶體管密度提升20%,同頻率下功耗最多可下降10%,AMD高級(jí)副總裁兼首席技術(shù)官M(fèi)ark Papermaster表示Zen 3的設(shè)計(jì)目標(biāo)就是優(yōu)異的能耗比,與Zen 2架構(gòu)相比會(huì)有適度的IPC性能提升,而且AMD明確表示不會(huì)在7nm DUV工藝上拖延太久,2020年的Zen 3架構(gòu)上7nm EUV是板上釘釘?shù)氖隆?/span>
現(xiàn)在全球各大領(lǐng)先的半導(dǎo)體廠商都在追求EUV光刻技術(shù),因?yàn)楝F(xiàn)在的DUV工藝將在7nm這個(gè)節(jié)點(diǎn)到達(dá)終點(diǎn),更先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)需要使用更細(xì)的EUV進(jìn)行雕刻,三星昨天已經(jīng)宣布完成5nm EUV工藝研發(fā),并且與NVIDIA簽署了合作協(xié)議,而Intel方面也投入巨資將在7nm節(jié)點(diǎn)使用EUV工藝。
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