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【VLSI】處理器全力發(fā)展高速化與低功耗化

2015-06-24 08:54:26 日經(jīng)技術在線
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產(chǎn)業(yè)界的大數(shù)據(jù)處理、平板電腦等移動應用愈發(fā)重要,對于微處理器的高性能化和低功耗化的要求也節(jié)節(jié)攀升。而另一方面,單純依靠微細化提高性能、降低功耗已經(jīng)變得困難,從電路到軟件,再到封裝,處理器行業(yè)正在通過匯集多方技術,著手解決這個問題。

       處理器高性能化的方向之一是提高時鐘頻率。原因是在需要優(yōu)化計算等復雜處理的用途中,因為并行度較低,多核并行處理有時效果不佳。而提高時鐘頻率存在的問題,則是耗電和對PVT變化的抗擾性變差。

       作為解決這一問題的技術,美國IBM公司發(fā)布了基于共振電路技術的大規(guī)模全局時鐘網(wǎng)絡技術(演講序號C23-5)。在共振時鐘電路中,配置與時鐘網(wǎng)絡的寄 生電容并聯(lián)的電感器,構成共振電路。此時,配合共振電路的振動,通過利用時鐘脈沖提高時鐘的電位,可以減少時鐘供給系統(tǒng)的功率。

       提高能源效率需要高Q值的LC電路,這在過去需要使用大面積的電感器。而此次發(fā)表的成果通過采用雙層電感器,以較小的面積,實現(xiàn)了高Q值。而且通過采用可編程延遲電路,提高了抗擾性。

       該公司的“IBM z13”微處理器采用17層金屬布線的22nm工藝high-k CMOS SOI技術。集成了8個處理器內核和40億個晶體管。在5G~5.5GHz的頻域,最終階段時鐘網(wǎng)格的功率,比不使用共振時降低了50%。

英特爾發(fā)布移動用14nm工藝處理器

       美國英特爾公司發(fā)布了移動設備用處理器“第5代酷睿M處理器(代碼:Broadwell)”的低功耗化技術。從處理技術到軟件,通過綜合改進,圖形性能最大提高60%,芯片的總功耗(TDP)降低到了過去的40%。

       14nm三柵工藝技術實現(xiàn)了面向移動用途的優(yōu)化。除寄生電容減少25%外,還使工作電壓降低10%,晶體管性能提高了10~15%。漏電流減少50%,面積減少了49%。

       配備能夠實現(xiàn)更好的Droop控制的完全集成型穩(wěn)壓器和線性穩(wěn)壓器(LVR)。配合其他降低功耗的方法,與過去相比,大幅降低了工作功耗和待機功耗。

       借助Broadwell首次采用的三維電感器技術,封裝的厚度縮小30%,提高了低負載時的效率。通過重新分割SoC的輸入輸出、重新設計DDR系統(tǒng),輸 入輸出功率降低了30%。在多種閑置模式下,通過關閉SoC芯片的各部分,使待機功耗降低了60%。借助使用新軟件的協(xié)同優(yōu)化方法,實現(xiàn)占空比控制和動態(tài) 顯示器支持,改善了圖形及顯示器子系統(tǒng)的能源效率。

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