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AMD“海盜島”GPU猜想:600mm2大核心,HBM堆棧內存?

2014-04-16 20:27:13 本站原創
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AMD目前的GPU家族是火山島系列,上周爆出了下一代的海盜島R9 300系列,其中有百慕大、斐濟以及寶藏島三個核心,規格也非常驚人,流處理器單元從目前最高2816個提升到了4224個。如此大規模的提升背 后,AMD免不了要在GPU核心面積上做些妥協,以往堅持的小核心策略可能就此改變,據說“斐濟”GPU的核心面積都不會低于550mm2,可能是 600mm2。此外,海盜島家族還可能用上速度更快的HBM堆棧式內存。

目前我們對海盜島家族GPU的架構及規格尚無確切消息,特別是制程工藝及核心,此前的傳聞稱其使用TSMC的20nm工藝,但即便如此,運算規模的大幅提升也不得不讓AMD在核心面積上作出妥協。3Dcenter上目前正在進行熱切的討論,他們給出的分析認為斐濟核心的面積都要超過550mm2,甚至可達600mm2,性能可達R9 295X2的水平。

AMD此前一直堅持小核心策略,同代的GPU核心面積普遍都要低于NVIDIA的產品,Tahiti一代的核心面積是365mm2,雖然比GK104核心的294mm要高,不過要低于GK110核心的561mm2,即便是R9 290X的Hawaii核心也只有438mm2,還是沒有超過GK110的水平。如今隨著GPU規模的提升,AMDGPU核心面積也不得不邁向更高的水平,不論是550還是600mm2,都達到甚至超過了GK110的水平。

當然,這個分析也只是一家之言,也有人并不認同AMD會走大核心路線,認為大核心在制造難度及良率上都是問題,不過NVIDIA的大核心GK110并沒有聽說有良率問題,AMD的大核心也不應該有良率問題。但無論哪種意見,海盜島GPU的核心規模肯定會越來越大,核心面積提升是免不了的。

爭論更多的還有海盜島GPU的架構及技術,此前的Tahiti、Hawaii核心架構是GCN 1.0及GCN 1.1,海盜島屬于制程、架構換代產品,會升級到GCN 2.0架構。隨著計算性能的增強,GCN 2.0對帶寬的要求也會越來越高,海盜島有可能會用上AMD與Hynix等廠商聯合開發的HBM堆棧式內存。

HBM內存是堆棧式設計,支持多通道,帶寬大幅提升

HBM內存的技術背景之前有過介紹,AMD聯合SK Hynix等廠商開發HBM內存也很久了,通過TSV硅穿孔技術堆棧多個內存通道,內存帶寬及容量都有明顯提升,不僅可以用于內存,也可以用于圖形及網格計算。相比GDDR5內存,HBM可以提高65%的總體性能,而功耗則有40%的下降。

此前NVIDIA公布的帕斯卡架構也會使用3D堆棧內存,也是通過TSV硅穿孔技術實現多通道內存的封裝,內存帶寬及容量因此提升,AMD新一代GPU架構用上HBM內存倒不是太意外,唯一的問題就是3D堆棧內存的技術成熟度,要形成類似GDDR5這樣的通用標準才有商業化的可能。

至于海盜島GPU的進度,如果AMD真的打算使用TSMC的20nm工藝,并且在年底推出,那么現在差不多應該是流片的時間了,特別是大核心GPU需要的時間更多,NVIDIA的GK110核心是2012年9月份首次用在專業卡上的,但是2012年1月份就流片了,這個進度可以當作參考。

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