AMD“海盜島”GPU猜想：600mm2大核心，HBM堆棧內(nèi)存？
2014-04-16 20:27:13 本站原創(chuàng)AMD目前的GPU家族是火山島系列，上周爆出了下一代的海盜島R9 300系列，其中有百慕大、斐濟以及寶藏島三個核心，規(guī)格也非常驚人，流處理器單元從目前最高2816個提升到了4224個。如此大規(guī)模的提升背 后，AMD免不了要在GPU核心面積上做些妥協(xié)，以往堅持的小核心策略可能就此改變，據(jù)說“斐濟”GPU的核心面積都不會低于550mm2，可能是 600mm2。此外，海盜島家族還可能用上速度更快的HBM堆棧式內(nèi)存。
目前我們對海盜島家族GPU的架構及規(guī)格尚無確切消息，特別是制程工藝及核心，此前的傳聞稱其使用TSMC的20nm工藝，但即便如此，運算規(guī)模的大幅提升也不得不讓AMD在核心面積上作出妥協(xié)。3Dcenter上目前正在進行熱切的討論，他們給出的分析認為斐濟核心的面積都要超過550mm2，甚至可達600mm2，性能可達R9 295X2的水平。
AMD此前一直堅持小核心策略，同代的GPU核心面積普遍都要低于NVIDIA的產(chǎn)品，Tahiti一代的核心面積是365mm2，雖然比GK104核心的294mm要高，不過要低于GK110核心的561mm2，即便是R9 290X的Hawaii核心也只有438mm2，還是沒有超過GK110的水平。如今隨著GPU規(guī)模的提升，AMD的GPU核心面積也不得不邁向更高的水平，不論是550還是600mm2，都達到甚至超過了GK110的水平。
當然，這個分析也只是一家之言，也有人并不認同AMD會走大核心路線，認為大核心在制造難度及良率上都是問題，不過NVIDIA的大核心GK110并沒有聽說有良率問題，AMD的大核心也不應該有良率問題。但無論哪種意見，海盜島GPU的核心規(guī)模肯定會越來越大，核心面積提升是免不了的。
爭論更多的還有海盜島GPU的架構及技術，此前的Tahiti、Hawaii核心架構是GCN 1.0及GCN 1.1，海盜島屬于制程、架構換代產(chǎn)品，會升級到GCN 2.0架構。隨著計算性能的增強，GCN 2.0對帶寬的要求也會越來越高，海盜島有可能會用上AMD與Hynix等廠商聯(lián)合開發(fā)的HBM堆棧式內(nèi)存。
HBM內(nèi)存是堆棧式設計，支持多通道，帶寬大幅提升
HBM內(nèi)存的技術背景之前有過介紹，AMD聯(lián)合SK Hynix等廠商開發(fā)HBM內(nèi)存也很久了，通過TSV硅穿孔技術堆棧多個內(nèi)存通道，內(nèi)存帶寬及容量都有明顯提升，不僅可以用于內(nèi)存，也可以用于圖形及網(wǎng)格計算。相比GDDR5內(nèi)存，HBM可以提高65%的總體性能，而功耗則有40%的下降。
此前NVIDIA公布的帕斯卡架構也會使用3D堆棧內(nèi)存，也是通過TSV硅穿孔技術實現(xiàn)多通道內(nèi)存的封裝，內(nèi)存帶寬及容量因此提升，AMD新一代GPU架構用上HBM內(nèi)存倒不是太意外，唯一的問題就是3D堆棧內(nèi)存的技術成熟度，要形成類似GDDR5這樣的通用標準才有商業(yè)化的可能。
至于海盜島GPU的進度，如果AMD真的打算使用TSMC的20nm工藝，并且在年底推出，那么現(xiàn)在差不多應該是流片的時間了，特別是大核心GPU需要的時間更多，NVIDIA的GK110核心是2012年9月份首次用在專業(yè)卡上的，但是2012年1月份就流片了，這個進度可以當作參考。
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