比利時·蒙-圣吉貝爾，2019年5月13日 – 各行業所需高溫
半導體解決方案的領導者CISSOID，在2019年歐洲功率電子及智能傳動產品展覽會（PCIM 2019）上展示了最新的高溫柵極驅動器、
碳化硅（SiC）MOSFET器件和IGBT功率模塊。PCIM 2019是全球領先的電力電子、智能傳動、可再生能源和能源管理展覽及會議。
CISSOID公司推出了一款新型柵極驅動器板，該板針對額定溫度為125°C（環境溫度）的62mm
碳化硅MOSFET功率模塊進行了優化。該板基于CISSOID的HADES柵極驅動器
芯片組，還可以驅動IGBT功率模塊，同時可為
汽車和工業應用中高密度功率轉換器的設計提供散熱空間。它支持高頻（> 100KHz）和快速的
碳化硅MOSFET開關（dV/dt> 50KV/μs），從而可以提升功率轉換器的效率并減小其尺寸和重量。該板專為惡劣的電壓環境而設計，支持1200V和1700V功率模塊的驅動，隔離電壓高達3600V（經過50Hz、1分鐘的耐壓
測試），爬電距離為14mm。欠壓鎖定（UVLO）、有源米勒鉗位（AMC）和去飽和檢測等保護功能，確保一旦發生故障時既可以保證安全駕駛，還能為功率模塊提供可靠的保護。“這款新型
碳化硅柵極驅動器板是與
汽車、運輸和航空航天市場中的行業領導者們多年合作開發的成果。它結合了CISSOID在
碳化硅器件方面的專業知識以及設計適應惡劣環境的
芯片和電子系統方面的長期經驗。”CISSOID工程副總裁Etienne Vanzieleghem 先生表示。
在紐倫堡，CISSOID還展示了最新的
碳化硅MOSFET器件和IGBT功率模塊。一款新型分立式1200V/40mOhms
碳化硅MOSFET晶體管已可供貨，其采用TO-247封裝，可以在-55°C至175°C的溫度范圍內正常工作。該MOSFET在25°C（結溫）時，漏極到源極導通電阻是40mOhms，在175°C（結溫）時，導通電阻是75mOhms。很低的開關導通和關斷能量（分別為1mJ和0.4mJ）使該器件成為高效緊湊的DC-DC轉換器、功率逆變器和電池充電器的理想選擇。CISSOID公司還展示了兩款額定電流分別為200A和300A的62mm 1200V IGBT功率模塊。
CISSOID還在致力于研發
碳化硅MOSFET功率模塊，并將在未來幾個月推出。“這些新產品表明CISSOID致力于提供全面的基于
碳化硅的解決方案，包括晶體管、模塊和柵極驅動器，以支持行業在新型電動
汽車和可再生能源應用中使用高效、輕便、緊湊的功率轉換產品，”CISSOID首席執行官Dave Hutton先生表示。“我們正與整車廠和
汽車零部件供應商密切合作，為新型
碳化硅功率逆變器在新能源
汽車中的應用定制柵極驅動器。”他補充道。
