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LED效能突破！“零缺陷”新半導體材料出世

2016-04-27 22:22:59 未知

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日前由前臺大校長李嗣涔、曾任臺大電子所教授何志浩組成的跨國研究團隊，成功研發出號稱“零缺陷”的新半導體材料，可望大幅提升LED發光效率。

　　這個團隊的組成是美國加州大學柏克萊分校教授AliJavey、阿卜杜拉國王科技大學(KAUST)教授何志浩、、前臺大校長李嗣涔等人組成，已經發表了論文，論文共同第一作者連德軒是臺大電機系博士，2015年才剛剛完成了博士口試，還拿到國際電子半導體學會IEEE頒發的獎學金，會在這個學習畢業。

　　臺大跨國研究團隊指出，過去的半導體材料如果越薄，其本身的物理缺陷就會對於電子、光電元件的可用效能，產生負面的影響。而目前該研究團隊找到了修復缺陷的簡單方法，建構出優質的單層二維半導體材料MoS2，沒有過去二維材料的缺陷密度過高問題，期望未來可以提升LED發光的效率，更之後則有機會成為超微小半導體元件中的重要材料選擇之一。

　　根據研究團隊的說法，這種材料可以發展出透明，同時具備撓性的高性能LED顯示器，以及超高效率的太陽能發電元件，以及高敏感度的光偵測元件，還有更低功耗的奈米級半導體電晶體元件。

　　LEDinside檢視他們論文和發表的內容，研究團隊是把二硫化鉬（MoS2）材料浸潤在亞胺（bistriflimide）的有機超強酸里面，這樣一來可大幅提高二維材料的量子效率，提昇的極限，從原本提昇不到1％的效果，增加到接近100％，換言之就是將近倍增的效果，因此有些媒體報導說LED發光效率可以提昇100倍，這是錯誤的描述，并不是真的。

　　這個材料要商業化，預期還有一段時間，世人可以拭目以待，期望有更好的光電與半導體材料造福人群與產業。