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搶占先機!三星正式量產(chǎn)20納米Mobile DRAM

2014-09-24 20:11:20 本站原創(chuàng)
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三星電子在稍早正式量產(chǎn)20納米Mobile DRAM,此舉有望拉開與競爭對手的技術差距。(SK海力士(SK Hynix)預計在下半年正式量產(chǎn)20納米中段制程產(chǎn)品,恐怕要等到2015年才有望能成功研發(fā)20納米產(chǎn)品)尤其在競爭對手們?nèi)酝A粼?0納米中段制程的情況下,隨著三星在20納米時代下畫上句點,分析認為,三星將有望可以在2015年前進10納米時代,拉開與對手的技術差距。

韓媒edaily指出,三星繼稍早3月投產(chǎn)的PC用20納米4Gb DDR3 DRAM,此次將20納米制程擴大到Mobile DRAM。采用20納米制程的產(chǎn)品可以提升30%以上的生產(chǎn)力,而電力消耗量也可以節(jié)省10%以上。

更多而三星透過此次研發(fā)20納米DRAM,將可以大幅減少成本。尤其是從2014年開始,Mobile DRAM需求超越PC用DRAM,三星半導體業(yè)績有望大幅改善。根據(jù)朝鮮日報引用市調(diào)機構DRAMeXchange資料指出,2014年Moblie DRAM出貨量比重,將以36%首度超越PC用DRAM的30%。

三星則是計劃透過20納米產(chǎn)品,搶占大容量Mobile DRAM市場。三星記憶體事業(yè)部行銷團隊常務白志浩(音譯)自信滿滿的表示,此次推出的20納米Mobile DRAM將能稱霸高性能Mobile DRAM市場,未來將會搭載在旗艦智慧型手機、平板電腦、穿戴式裝置等產(chǎn)品上。

三星從2006年開始研發(fā)50納米級DRAM后,在2010年進展到30納米級,2011年時則推進到20納米級微細制程。edaily指出,三星在2014年正式量產(chǎn)20納米產(chǎn)品后,極有可能率先進入10納米級時代。

隨著三星研發(fā)出改良型的雙圖樣微影技術(Double Patterning),透過既有設備做好量產(chǎn)10納米級產(chǎn)品的準備。南韓半導體業(yè)界預估,三星將會在2015年研發(fā)出10納米級產(chǎn)品,并在2016年開始投產(chǎn)。

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