ST推出三款PowerFLAT封裝的功率MOFET
2014-02-19 21:01:12 本站原創意法半導體先進的PowerFLAT 5x6 HV和PowerFLAT 5x6 VHV封裝具有高達650V和800V電壓運行所要求的隔離通道長度和間隙，而封裝面積與工業標準的100V PowerFLAT 5x6封裝的5mm x 6mm相同，比主流的DPAK封裝縮小52%。此外，這兩個先進封裝僅1mm厚，配備一個裸露的大面積的金屬漏極焊盤，通過印刷電路板上的散熱通孔最大限度地排熱。
這些功能同時提高了管子的高壓輸出能力、穩健性、可靠性和系統功率密度。
意法半導體目前正在推出三款采用PowerFLAT 5x6 HV封裝的650V MDmesh V MOSFET產品，還推出四款額定電壓極高的采用PowerFLAT 5x6 VHV 800V封裝的SuperMESH 5 MOSFET。
此外，意法半導體已經開始提供兩款采用PowerFLAT 5x6 HV封裝的600 V快速開關型低Qg的MDmesh II Plus MOSFET測試樣片。
