全球第一：海力士量產16nm 8GB閃存顆粒
2013-11-22 19:03:44 本站原創韓國SK海力士今天宣布，已經開始大規模量產16nm工藝的64Gb(8GB) MLC NAND閃存顆粒，這也是當今最先進的閃存制造工藝。
其實早在今年六月，海力士就量產了第一版的16nm NAND閃存，最近投產的則是第二版，芯片尺寸更小，更具競爭力。
此外，海力士還根據16nm 64Gb閃存的規范和耐久性，成功研發了128Gb(16GB)容量版本，存儲密度世界最高，計劃明年初投入量產。
海力士指出，通常情況下，NAND閃存工藝越先進，單元之間的 干擾就越嚴重，但是他們引入了最新的Air-Gap技術來克服這種干擾，主要是將電路之間用于絕緣的基底換成了真空孔。
海力士最后稱，將繼續加速研發TLC NAND、3D NAND閃存技術。
EETOP 官方微信
創芯大講堂 在線教育
半導體創芯網 快訊
相關文章
