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美高森美公司推出全新1200V肖特基二極管系列

2012-11-22 12:38:07 本站原創
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美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200 V 肖特基二極管系列,新的二極管產品瞄準廣泛的工業應用,包括太陽能逆變器、電焊機、等離子切割機、快速車輛充電、石油勘探,以及非常注重功率密度、更高性能和可靠性的其它大功率高壓應用。

與硅(Si)材料相比,碳化硅(SiC)材料具有多項優勢,包括較高的擊穿場強度和更好的導熱性,這些特性可讓設計人員創建具有更好性能特性的器件,包括零反向恢復、不受溫度影響特性、較高的電壓能力,以及較高的工作溫度,從而達到新的性能、效率和可靠性水平。

除了SiC二極管器件固有的優勢之外,美高森美是唯一一家提供大尺寸貼片,背部可焊接的D3 封裝SiC 肖特基二極管的制造商,允許設計人員達到更高的功率密度和較低的制造成本。

美高森美公司功率產品部總經理Russell Crecraft表示:“我們利用超過25年的功率半導體器件設計和制造專有技術,推出具有無與倫比的性能、可靠性和總體質量水平的SiC二極管系列。下一代功率轉換系統需要更高的功率密度、更高的工作頻率和更高的效率,而美高森美新的碳化硅器件能夠幫助系統設計人員滿足這些需求。”

全新1200V SiC 肖特基二極管產品陣容包括:

· APT10SCD120BCT (1200V、10A、共陰極TO-247封裝)

· APT20SCD120B (1200V、20A、TO-247封裝)

· APT30SCD120B (1200V、30A、TO-247封裝)

· APT20SCD120S (1200V、20A、D3 封裝)

· APT30SCD120S (1200V、30A、D3 封裝)

美高森美新型SiC 肖特基二極管現已量產。

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