摩爾定律待突破超紫外光(EUV)微影技術延遲障礙
2012-10-11 20:51:21 本站原創在2012年的國際超紫外光(EUV)微影技術研討會上，專家們一致認為，過去幾十年來一直扮演半導體創新引擎的摩爾定律(Moore"sLaw)，正由于下一代超紫外光(EUV)微影技術的延遲而失去動力。
為了因應14nm以下制程，EUV系統需要比今天更強大20倍的光源，專家們表示，他們希望到2014年能有200W的EUV光源，但要達到這個目標可能會需要更長時間。
過去一年來，比利時魯汶的IMEC研究人員已經透過采用較??低功率的光源，制造了約3,000片使用EUV技術的晶圓。然而，對這部價值數百萬美元的系統來說，若與英特爾(Intel)、三星(Samsung)、臺積電(TSMC)等業界廠商相比，其制造商用化晶圓的速度仍然慢上了15~30倍。
過去三年內，研究人員已經將光源功率提高了20倍。但為了達到量產要求，他們必須在未來兩年內再作出類似的改善──這是IMEC先進微影技術方案總監KurtRonse在日前于布魯塞爾舉辦的EUV高峰會中所做出的結論。該組織還表示，在2016年希望能開發出500~1,000W的EUV光源。
“EUV的延遲阻礙了半導體產業的前進腳步，”Ronse說。“盡管他們仍將之稱為14nm，但它可能更像是16或17nm，”他表示。
微縮腳步趨緩
在14nm世代，若沒有EUV，SRAM單元便無法直接微縮50%，Ronse說。這是因為多重圖案在究竟能實現多少功能方面仍然有其局限性。
“若EUV能順利到位，他們就可以迎頭趕上，”Ronse說。業界已經投入很多資源發展光源了，所以，未來必然會出現解決方案，但很難肯定是否會在兩年內出現，”他說。
英特爾與臺積電都入股ASML共同發展EUV系統，金額達數十億美元。
英特爾近期也表示，預計明年可進入14nm，2015年還可望使用現有的浸入式微影技術朝10nm前進。如果沒有EUV，英特爾認為可能必須在一個晶片上寫入多達五層的浸入式圖案，而雖然這會花費更多時間和金錢，但對該公司說仍然劃算。
IMEC現已運用ASMLNXE3100EUV系統獲得60%以上的生產時間。由于使用舊的光源，因此“在一開始的六個月以內，我們經歷了相當長一段平均時間降到50%~10%之間的振蕩期，”他表示。
根據試驗結果，IMEC已使用EUV獲得了16nm半間距的解析度?！?a href="http://www.xebio.com.cn/semi" target="_blank" class="keylink">EUV可能不會被用在晶片的所有層，但會用在一些關鍵層以及和浸入式技術對齊的部份，”Ronse說。
對齊是一個問題。IMEC目前已能在晶片上達到6nm以內的EUV和浸入式層對齊準度。但目標是對齊準度必須在2至3nm以內，“他說。
