安森美半導體推出High-Q™ IPD工藝設計套件
2012-06-20 20:50:52 本站原創安森美半導體的High-Q™ IPD工藝技術提供高電阻率硅銅(copper on high resistivity silicon)平臺，非常適合用于生產無源器件，如用于便攜、無線及射頻應用的平衡-不平衡轉換器、濾波器、耦合器、雙工器及匹配網絡。IPD技術用于安森美半導體在美國俄勒岡州Gresham的世界一流200 mm晶圓制造廠制造銅電感、精密電容及精密電阻。IPD為射頻系統級封裝提供高性價比方案。安森美半導體還為工程原型開發提供經濟合算的晶圓廠往返服務。此外，安森美半導體還提供多種應用定制規格的設計服務。
安森美半導體定制晶圓代工及IPD分部高級總監Rick Whitcomb說：“IPD工藝在射頻應用極受垂青，我們看到客戶極想要這工藝擴展至配合安捷倫的ADS平臺。我們為客戶提供包括布線和集成EM支援在內的完整ADS設計套件，他們便能利用安捷倫在射頻及微波設計領域經證明的專知之優勢。”
為客戶提供的全功能ADS設計套件可用于布線、仿真及驗證，支持電路圖驅使型布線生成、布線與電路圖對比檢驗、集成3D平面電磁及3D-FEM仿真器。
安捷倫科技EEsof EDA晶圓制造項目經理Juergen Hartung說：“ADS與IPD工藝完美匹配，ADS與安森美半導體IPD設計套件的組合使相互的客戶能夠獲得高效的集成設計平臺。ADS不僅為IPD裸片本身提供完整的從前到后工序應用平臺，還直接能設計出包含IPD的完整射頻模塊。”
EETOP 官方微信
創芯大講堂 在線教育
半導體創芯網 快訊
相關文章
