三星電子全球首家量產20納米級移動存儲器
2012-05-27 13:51:09 本站原創日前，三星(微博)電子發布，其全球首家批量生產20納米級(1納米=10億分之一米)工藝的4Gb LPDDR2(Low Power Double Data Rate 2)DRAM，旨在全面擴大其4Gb DRAM市場。
三星電子為滿足消費者的需求，繼2012年3月開始批量生產20納米級8GB DDR3筆記本電腦模塊， 4月又開始批量生產20納米級4Gb LPDDR2 DRAM，從而成了擁有業界最大高端4Gb DRAM生產線的廠商。
據了解，20納米級4Gb DRAM產品群，不僅能夠提供全球最為“超薄”、“大容量”、“高性能”的手機解決方案，而且其最小的芯片尺寸，可實現超薄設計。新一代20納米級4Gb移動DRAM四顆粒堆疊封裝組成的16Gb(2GB)產品相比30納米4Gb DRAM四顆粒堆疊封裝產品，其厚度更薄，最高速度可達1，066Mbps，并保持相同的電耗。
三星電子2011年3月開始批量生產了30納米級存儲器。此次業界首家批量生產最小尺寸20納米級。此舉意味著三星電子將繼續引領移動存儲市場的領先地位。
三星電子存儲器事業部戰略營銷部洪完勛副社長表示，“2011年三星電子憑借業界首家批量生產30納米級4Gb DRAM，擴大了4Gb DRAM市場份額。今年，則通過20納米級4Gb的批量生產，有望實現進一步差異化高端存儲器市場目標。今年下半年，將繼續加大20納米級DRAM的比重， 逐漸把4Gb DRAM提升為主力產品，從而搶占高端市場，加強競爭優勢。”
