安森美半導體推出新系列100V溝槽型LVFR
2011-12-18 08:38:16 本站原創新的NTST30100CTG、NTST20100CTG及NTSB20U100CTG系列器件采用溝槽拓撲結構，提供優異的低正向壓降及更低漏電流，因而導電損耗低及大幅提升的電路能效，幫助設計工程師符合高能效標準規范要求，不會增加復雜度，例如無須同步整流。
此LVFR系列利用溝槽金屬氧化物半導體(MOS)結構，在正向偏置條件下提供更大的導電區，因而顯著降低正向壓降。在反向偏置條件下，此結構產生“夾斷”(pinch-off)效應，從而降低漏電流。跟平面型肖特基整流器不同，安森美半導體的溝槽型LVFR的開關性能在-40 °C至+150 °C的整個工作結點溫度范圍內都很優異。
為了證明LVFR的優勢，安森美半導體將其30 A、100 V LVFR (NTST30100SG)與標準的30 A、100 V平面型肖特基整流器進行比較。基于65 W電源適配器測試的數據顯示，使用LVFR比使用平面肖特基整流器的能效高1%。如此顯著的能效提升使電源設計人員能夠符合規范要求，同時不增加方案的復雜度及成本，例如無須同步整流。
安森美半導體功率分立分部高級總監兼總經理John Trice說：“我們的客戶力求其產品設計更高能效，面市已久的平面型肖特基整流器根本無法高性價比地提供溝槽型LVFR系列所具的性能及能效。LVFR在擴展溫度范圍內提供優異正向壓降及反向漏電流性能，超出我們客戶提升電源能效的嚴格規格。”
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