Vishay將在日本舉行的Techno-Frontier 2011上展示領(lǐng)先的技術(shù)方案
2011-07-13 19:08:57 本站原創(chuàng)日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，將參加2011年7月20至22日在Tokyo Big Sight舉行的Power System Japan展覽會(huì)，展示其最新的技術(shù)方案。該展會(huì)是Techno-Frontier 2011（2011日本電子、機(jī)械零配件及材料博覽會(huì)）在電源系統(tǒng)方面的專業(yè)展覽。Vishay展位號(hào)3T-211，Vishay的大批業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體 和無(wú)源電子元件將集中亮相。觀眾可了解Vishay的領(lǐng)先解決方案如何幫助設(shè)計(jì)者在各種各樣的應(yīng)用中滿足其對(duì)節(jié)省空間和提高效率的特定需求。
Vishay在Techno-Frontier 2011上展示的產(chǎn)品線如下。
電阻：Vishay將重點(diǎn)展示采用霍爾效應(yīng)技術(shù)的新型無(wú)觸點(diǎn)傳感器，這種傳感器在20G的高頻振動(dòng)和50G的沖擊情況下依然具有高性能。除用于功率計(jì)和電池管理應(yīng)用的大電流Power Metal Strip®分流電阻外，包括專業(yè)汽車薄膜芯片電阻在內(nèi)的獨(dú)創(chuàng)SMD電阻方案將同臺(tái)展出。
電感器：針對(duì)各種終端產(chǎn)品中的電壓調(diào)節(jié)模塊（VRM）和DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，Vishay將展示業(yè)內(nèi)最小的和最大的SMD復(fù)合電感器，以及業(yè)內(nèi)最薄的大電流電感器。
電容器：Vishay ESTA功率電容器將出現(xiàn)在展臺(tái)上，同時(shí)展出的還有DC-link聚丙烯薄膜電容器，及針對(duì)極為重要的醫(yī)療和軍工/航天應(yīng)用提供威布爾失效率分級(jí)等篩選選項(xiàng)的高可靠性MicroTan®鉭電容器。
二極管：Vishay將展出一系列為太陽(yáng)能電池旁路保護(hù)、照明應(yīng)用、桌面電源和更多其他應(yīng)用而優(yōu)化的新款二極管。展示的重點(diǎn)包括45 V TMBS®系列整流器，采用功率封裝的200V和600V FRED Pt®極快和超快整流器，小尺寸、SMD標(biāo)準(zhǔn)的快速和超快雪崩整流器，采用D-PAK封裝的200V和600V FRED Pt極快和超快整流器，以及低正向壓降的橋式整流器。
MOSFET：Vishay節(jié)省空間的PowerPAIR®解決方案將出現(xiàn)在展臺(tái)上，該產(chǎn)品集成了多個(gè)最優(yōu)的低壓MOSFET，可取代傳統(tǒng)的分立式解決方案。其他產(chǎn)品還有采用PowerPAK® SO-8封裝、具有低導(dǎo)通電阻的下一代40V～100V MOSFET，以及采用兼具超低導(dǎo)通電阻和對(duì)雪崩性能進(jìn)行100%測(cè)試的Super Junction技術(shù)的高壓MOSFET。
功率IC：Vishay的高精度模擬復(fù)用器系列將被展出，此外還有節(jié)省空間、提高效率的集成同步降壓穩(wěn)壓器和DrMOS集成功率級(jí)。
光電子：重點(diǎn)展示的產(chǎn)品包括IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)，此外還有業(yè)界首款在一個(gè)小尺寸3.95mm x 3.95mm x 0.75mm的無(wú)引線、表面貼裝封裝內(nèi)集成紅外發(fā)射器、PIN光敏二極管、環(huán)境光探測(cè)器、信號(hào)處理IC和16位ADC的接近和環(huán)境光光學(xué)傳感器。
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