Infineon推出600 V和1200V IGBT產(chǎn)品系列
2010-05-20 21:00:29 本站原創(chuàng)英飛凌推出600 V和1200V高速3（第三代）IGBT產(chǎn)品系列。該系列經(jīng)過優(yōu)化，適用于高頻和硬開關(guān)應(yīng)用，在降低開關(guān)損耗、實(shí)現(xiàn)出類拔萃的效率方面，樹立了行業(yè)新標(biāo) 桿，并可滿足開關(guān)頻率高達(dá)100 kHz的應(yīng)用需求。
近年來，各種產(chǎn)品對分立式IGBT的需求促使設(shè)計(jì)者尋求具備優(yōu)化特性的IGBT，比如開關(guān)和通態(tài)損耗優(yōu)化，以期充分發(fā)揮 產(chǎn)品的性能。英飛凌的全新600 V 和1200 V高速3系列IGBT可適用于電焊機(jī)、太陽能逆變器、開關(guān)電源和不間斷電源（SMPS 和UPS）等高頻應(yīng)用，幫助最大限度發(fā)揮系統(tǒng)的性能。
全新的高速3 IGBT系列經(jīng)過優(yōu)化，適用于開關(guān)頻率高達(dá)100 kHz的產(chǎn)品。它相對于上一代器件，總關(guān)斷損耗降低35％。關(guān)斷損耗的大幅降低主要源自于極短的拖尾電流時(shí)間。拖尾電流時(shí)間縮短75%，并表現(xiàn)出類似 MOSFET的關(guān)斷開關(guān)行為。
由于Vce(sat)（通態(tài)飽和電壓）對總體損耗也很關(guān)鍵，因此需要在開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗之間實(shí)現(xiàn)最佳平衡。全新的高速 3系列不僅具備極低的開關(guān)損耗，而且具備較低的導(dǎo)通損耗，這主要得益于采用本身具備較低通態(tài)飽和電壓的、成熟的Trenchstop™ 技術(shù)。
對于高速3系列中具備續(xù)流二極管的IGBT而言，其二極管的尺寸經(jīng)過優(yōu)化，適用于高速開關(guān)，同時(shí)可維持較高的軟度，使產(chǎn) 品具備出色的抗電磁干擾性能。
供貨與定價(jià)
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的全新高速3 IGBT系列，其600V器件的電流范圍為20A至50A，其1200V器件的電流范圍為15A至40A。該系列目前全面投入量產(chǎn)。
樣品數(shù)量的價(jià)格范圍為1.90歐元（600V 20A）至5.10歐元（1200 40A）。
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