Infineon推出600 V和1200V IGBT產品系列
2010-05-20 21:00:29 本站原創英飛凌推出600 V和1200V高速3（第三代）IGBT產品系列。該系列經過優化，適用于高頻和硬開關應用，在降低開關損耗、實現出類拔萃的效率方面，樹立了行業新標 桿，并可滿足開關頻率高達100 kHz的應用需求。
近年來，各種產品對分立式IGBT的需求促使設計者尋求具備優化特性的IGBT，比如開關和通態損耗優化，以期充分發揮 產品的性能。英飛凌的全新600 V 和1200 V高速3系列IGBT可適用于電焊機、太陽能逆變器、開關電源和不間斷電源（SMPS 和UPS）等高頻應用，幫助最大限度發揮系統的性能。
全新的高速3 IGBT系列經過優化，適用于開關頻率高達100 kHz的產品。它相對于上一代器件，總關斷損耗降低35％。關斷損耗的大幅降低主要源自于極短的拖尾電流時間。拖尾電流時間縮短75%，并表現出類似 MOSFET的關斷開關行為。
由于Vce(sat)（通態飽和電壓）對總體損耗也很關鍵，因此需要在開關損耗和導通損耗之間實現最佳平衡。全新的高速 3系列不僅具備極低的開關損耗，而且具備較低的導通損耗，這主要得益于采用本身具備較低通態飽和電壓的、成熟的Trenchstop™ 技術。
對于高速3系列中具備續流二極管的IGBT而言，其二極管的尺寸經過優化，適用于高速開關，同時可維持較高的軟度，使產 品具備出色的抗電磁干擾性能。
供貨與定價
符合RoHS標準的全新高速3 IGBT系列，其600V器件的電流范圍為20A至50A，其1200V器件的電流范圍為15A至40A。該系列目前全面投入量產。
樣品數量的價格范圍為1.90歐元（600V 20A）至5.10歐元（1200 40A）。
EETOP 官方微信
創芯大講堂 在線教育
半導體創芯網 快訊
相關文章
