OVT推出1.1微米背面照度像素技術
2010-02-26 10:47:52 本站原創OVT推出世界第一款 1.1 微米背面照度像素技術。這套全新的 OmniBSI-2 像素架構是數字成像技術發展歷史中的重要里程碑，可以為新的成像解決方案提供優越的成像質量，對低照度更為敏感。這個架構還將 OmniVision 的像素產品發展方向延伸至亞微米水平，同時也將帶動數字成像技術中的微型化發展。
OmniBSI-2 是 OmniVision 的第二代 BSI 技術，也是第一個利用了 65 納米設計規則，以 300 毫米銅材料工藝完成的像素技術。這項技術是我們與戰略生產合作伙伴臺積電協作完成的。在結合了特制的 65 納米設計規則和新的生產工藝模塊之后，這個 1.1 微米 OmniBSI-2 像素技術達到了行業領先的低照度敏感度，同時還可以大量改善暗電流和最大阱容。OmniBSI-2 特制的像素設計規則可以取得更優越的像素排列、更好的像素隔離，并顯著降低像素串擾。這些優勢大大超越了第一代 OmniBSIT技 術，可以產生更好的圖像質量、增強圖像的色彩并改善相機的性能。
臺積電擁有世界最大的 CIS 生產能力，并且還擁有行業中最領先的 CIS 技術。在 2009 年，臺積電可生產一千萬片 8 英寸晶片，比 2008 年增加了 6%。
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