OVT推出1.1微米背面照度像素技術(shù)
2010-02-26 10:47:52 本站原創(chuàng)OVT推出世界第一款 1.1 微米背面照度像素技術(shù)。這套全新的 OmniBSI-2 像素架構(gòu)是數(shù)字成像技術(shù)發(fā)展歷史中的重要里程碑，可以為新的成像解決方案提供優(yōu)越的成像質(zhì)量，對(duì)低照度更為敏感。這個(gè)架構(gòu)還將 OmniVision 的像素產(chǎn)品發(fā)展方向延伸至亞微米水平，同時(shí)也將帶動(dòng)數(shù)字成像技術(shù)中的微型化發(fā)展。
OmniBSI-2 是 OmniVision 的第二代 BSI 技術(shù)，也是第一個(gè)利用了 65 納米設(shè)計(jì)規(guī)則，以 300 毫米銅材料工藝完成的像素技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)是我們與戰(zhàn)略生產(chǎn)合作伙伴臺(tái)積電協(xié)作完成的。在結(jié)合了特制的 65 納米設(shè)計(jì)規(guī)則和新的生產(chǎn)工藝模塊之后，這個(gè) 1.1 微米 OmniBSI-2 像素技術(shù)達(dá)到了行業(yè)領(lǐng)先的低照度敏感度，同時(shí)還可以大量改善暗電流和最大阱容。OmniBSI-2 特制的像素設(shè)計(jì)規(guī)則可以取得更優(yōu)越的像素排列、更好的像素隔離，并顯著降低像素串?dāng)_。這些優(yōu)勢(shì)大大超越了第一代 OmniBSIT技 術(shù)，可以產(chǎn)生更好的圖像質(zhì)量、增強(qiáng)圖像的色彩并改善相機(jī)的性能。
臺(tái)積電擁有世界最大的 CIS 生產(chǎn)能力，并且還擁有行業(yè)中最領(lǐng)先的 CIS 技術(shù)。在 2009 年，臺(tái)積電可生產(chǎn)一千萬(wàn)片 8 英寸晶片，比 2008 年增加了 6%。
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