瑞薩電子推出全球首款28nm汽車級MCU
2018-03-30 15:56:48 未知 |
產品是新一代汽車控制RH850/E2x系列MCU從底層硬件擴展了整個Renesas autonomy™端到端解決方案組合
全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723）于今日發布了業界第一款使用28nm工藝的集成閃存微控制器（MCU），并于即日起開始交付樣片。為了打造下一代更高效、更可靠的環保汽車和自動駕駛汽車，這款革命性的RH850/E2x系列微控制器內置了多達6個400Mhz的處理器核心，成為業界第一款（注1）能達到9600MIPS（注2）指令處理能力的車用控制片內閃存MCU。該系列MCU還具有多達16MB的內置閃存以及更完善的安保功能和功能安全性。
Renesas autonomy™是瑞薩電子面向智能輔助駕駛和自動駕駛開發推出的開放、創新和可信賴的開發平臺。通過該平臺，瑞薩電子為汽車行業向下一代環保汽車、網聯汽車、自動駕駛汽車的進化提供端對端的解決方案。28nm工藝的車用控制MCU是一款突破性的產品，為云服務互連和環境感知而設計。它具備下一代汽車控制系統所需的先進技術，并與瑞薩R-Car系列片上系統（SoC）組成了Renesas autonomy平臺的主要產品支柱。汽車制造商及日本電裝等一級供應商，已經開始采用該28nm MCU產品，并一致認同該MCU優越的處理性能可幫助發展下一代的節能型發動機。同時該MCU具有空前的可擴展性，使其能夠作為一個平臺應對未來汽車電子/電氣架構的演變，以及這一變化所帶來的電子控制單元（ECU）集成需求。
新款RH850/E2x 系列MCU的主要性能
超強處理性能，實現環保汽車所需的復雜車輛控制
為了研發環境友好的車輛和下一代節能型發動機，需要超強處理性能來支持新的燃油系統設計。此外，用于電動汽車和混合動力汽車的小型化高效發動機和變流器，卓越的處理性能和高集成度是必不可少的條件。最新發布的28nm工藝閃存MCU是全球第一款擁有高達6顆400MHz處理核心和9600MIPS指令速度的微控制器。相較于早期40nm的 MCU，新的RH850/E2x系列MCU能在同等功耗水平下可以實現3倍的處理性能。RH850/E2x系列內置的增強型傳感器接口可為汽車控制系統的集成提供了更好的精準控制功能。針對于新款MCU，瑞薩電子的合作伙伴也將提供多核的虛擬環境和基于模型的開發環境。
用于網聯汽車的大容量閃存支持先進的OTA軟件更新
無線下載OTA功能的需求促使了內置閃存容量的不斷增大。OTA功能可以自動通過無線網絡更新車輛的電子控制單元（ECU）固件，改善和提高系統的安全性能。RH850/E2x系列集成16MB的閃存ROM，并支持根據用戶需求而有選擇的只更新閃存的特定區域。RH850/E2x增強了的串行通信接口的配置，支持多達10通道的CANFD接口和1通道的以太網接口。支持Evita Medium的硬件安保功能支持微控制器實現快速可靠地進行OTA軟件更新。
用于自動駕駛汽車的增強型的功能安全性
為達到ISO26262 汽車電子/電氣系統功能安全標準中的最高級別ASIL-D標準，RH850/E2x系列產品采用雙核鎖步架構，保證兩顆處理內核的運算結果完全一致。RH850/E2x最高可提供4組互鎖雙核，并具備諸多硬件的功能安全性改進。在生命攸關的應用中，這些功能會在故障發生時立即檢測到問題，并時刻維持系統的安全。瑞薩電子將提供安全分析工具來幫助實現各種適用于不同應用場景的安全系統。
繼于2015年2月28nm嵌入式閃存的工藝開發公布后，瑞薩電子于2016年9月宣布與臺積電合作生產28nm MCU。今日向市場推出全球第一款28nm嵌入式閃存MCU，將成為瑞薩電子的另一個重要里程碑。瑞薩電子已經驗證了在16/14nm及下一代MCU產品上應用鰭狀MONOS閃存技術。作為全球領先的汽車半導體解決方案供應商，瑞薩電子致力于用科技創新來推動行業發展并建設一個安全可靠的汽車社會。
為確保RH850/E2x系列的可擴展性，除28nm閃存MCU外，瑞薩電子還公布了兩款40nm工藝的MCU，具備上述產品特性中的第（1）和（3）點。采用28nm工藝和40nm工藝生產的RH850/E2x系列MCU樣片將于2018年3月開始供貨。
RH850/E2x系列產品的詳細參數請參閱附錄。
（注1）當前性能與其他公司公開數據比較，數據來源于瑞薩研究部門。
（注2）MIPS指百萬條指令每秒，是表示計算機處理性能的一種方式。
關于瑞薩電子的MONOS（金屬氧化氮氧化硅）嵌入式閃存技術
MONOS是一種閃存晶體管的結構，每個晶體管由硅基底座和三層絕緣體氧化物-氮化物-氧化物構成，且上方設有金屬控制門。瑞薩電子多年來為IC卡技術提供微控制器，從而在MONOS閃存技術的應用方面積累了20多年的經驗。基于在MONOS技術上優異的成績，瑞薩電子成功地開發出適用于MCU內部閃存的分離閘（Split-Gate, SG）結構。此項新型的“SG-MONOS”閃存能夠實現微控制器高可靠性、高速、以及低能耗的功能。
