ST 采用新STripFET™技術的功率MOSFET系列產品使DC-DC轉換器實現更高頻率和更低損耗
2008-03-17 21:08:16 未知
中國，2008年2月20日 — 意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）今天推出兩款適用于直流—直流轉換器的全新功率MOSFET（金屬互補氧化物場效應晶體管）產品。新產品采用ST獨有的最新版STripFET™制造技術，擁有極低的導通損耗和開關損耗，在一個典型的穩壓模塊內，兩種損耗的減少可達3瓦。在同類競爭產品中，新產品實現了最低的品質因數：FOM = 導通電阻Rds(on) x柵電荷量（Qg）。
除高能效外，新款MOSFET準許實際電路的開關頻率高于正常開關頻率，這樣可以縮減電路無源器件的尺寸。例如，把電路的開關頻率提高10%，輸出濾波器需要的無源器件的尺寸就可以縮小10%。
STD60N3LH5和STD85N3LH5是ST新系列STripFET V的頭兩款產品，因為導通電阻小，柵電荷總量被大幅度降低，新系列產品性能優異，能效明顯提高。兩款產品都是30V（BVDSS）器件。因為柵電荷量（Qg）僅為8.8nC（納庫化），在10V電壓時，導通電阻Rds（on）為7.2毫歐，所以STD60N3LH5是非隔離直流—直流降壓轉換器中的控制型場效應晶體管的理想選擇。在10V電壓時，導通電阻Rds（on）為4.2毫歐，柵電荷量為14nC，因此STD85N3LH5是同步場效應晶體管的最佳選擇。兩款新產品都采用DPAK和IPAK封裝，不久還將推出采用SO-8、PowerFLAT 3.3x3.3、PowerFLAT 6x5和PolarPAK®封裝的產品。新系列STripFET V產品最適合應用于筆記本電腦、服務器、電信設備和網絡系統。
ST的STripFET技術利用非常高的等效單元密度和更小的單元特征尺寸來實現極低的導通電阻和開關損耗，同時硅面積占用率較低。STripFET V是最新一代的STripFET技術，與上一代技術相比，硅阻和活動區的關鍵指標改進大約35%，單位活動區內的柵電荷總量降低25%。
兩款產品已投入量產。
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