Vishay 600V E系列MOSFET利用Kelvin連接來實現更好的性能
2015-10-12 09:29:46 N節省空間的MOSFET可替換TO-253 (D2PAK)封裝的器件，適用于通信、服務器、計算機、照明和工業應用
賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 10 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用小尺寸PowerPAK® 8x8封裝的600V E系列功率MOSFET---SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E。新的Vishay Siliconix SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E有一個實現低熱阻的大尺寸漏極端子和在源極的Kelvin連接。超薄表面貼裝PowerPAK 8x8封裝符合RoHS，無鹵素，完全無鉛，可替換傳統的TO-220和TO-263封裝的產品，達到節省空間的效果。
PowerPAK® 8x8的結構定義一個源極pin腳為專用的Kelvin源極連接腳，把柵極驅動的返回路徑從主要承載電流的源極端子上分開。這樣就能防止在大電流路徑上出現L x di / dt電壓降，避免施加到E系列MOSFET上的柵極驅動電壓出現跌落，從而在通信、服務器、計算機、照明和工業應用的電源實現更快的開關速度和更好的耐噪聲性能。
SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E采用Vishay最新的高能效E系列超級結技術制造，在10V電壓下導通電阻低至0.135Ω，柵極電荷低至31nC。以及較低的柵極電荷與導通電阻乘積，該乘積是功率轉換應用里MOSFET的優值系數(FOM)。這些數值意味著極低的傳導和開關損耗，在功率因數校正、反激式轉換器，服務器和通信電源的雙開關正激轉換器，HID和熒光鎮流器照明，消費和計算設備電源適配器，電機驅動、太陽能電池逆變器，以及感應加熱和焊接設備中可以實現節能。
這些MOSFET可承受雪崩和換向模式中的高能脈沖，保證極限值100%通過UIS測試。
器件規格表：
|
產品編號 |
VDS (V) |
VGS (V) |
ID (A) @ 25 °C |
RDS(ON) (Ω) @ 10 V (max.) |
Qg (nC) @ 10 V (typ.) |
CISS typ. (pF) |
|
SiHH26N60E |
600 |
± 30 |
25 |
0.135 |
77 |
2815 |
|
SiHH21N60E |
600 |
± 30 |
20 |
0.176 |
55 |
2015 |
|
SiHH14N60E |
600 |
± 30 |
16 |
0.228 |
41 |
1416 |
|
SiHH11N60E |
600 |
± 30 |
11 |
0.339 |
31 |
1076 |
SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E現可提供樣品，并已實現量產，供貨周期為十六周。
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