ST MDmesh M2系列的N－溝道功率MOSFETs再增添新成員
2015-09-14 21:11:22 未知 |
ST MDmesh™ M2系列的N-溝道功率MOSFETs再增添新成員，新系列產(chǎn)品能夠?yàn)榉?wù)器、筆記本電腦、電信設(shè)備及消費(fèi)電子產(chǎn)品電源提供業(yè)內(nèi)最高能效的電源解決方案，在低負(fù)載條件下的節(jié)能效果尤為顯著，讓設(shè)計(jì)人員能夠開(kāi)發(fā)更輕、更小的開(kāi)關(guān)式電源，同時(shí)輕松達(dá)到日益嚴(yán)格的能效目標(biāo)要求。
新款600V MDmesh M2 EP產(chǎn)品整合意法半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)市場(chǎng)檢驗(yàn)的條形布局（strip layout）和全新改進(jìn)的垂直結(jié)構(gòu)和優(yōu)化的擴(kuò)散工藝（diffusion process），擁有接近理想的開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)，包括超低的導(dǎo)通電阻和最低的關(guān)斷開(kāi)關(guān)損耗，是特別為甚高頻功率轉(zhuǎn)換器（f>150 kHz）專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)，為要求最嚴(yán)格的電源供應(yīng)器（PSU, Power Supply Unit）的理想選擇。
硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)電路拓?fù)渚m用，包括諧振拓?fù)洌╮esonant topologies），例如LLC諧振，新器件的開(kāi)關(guān)損耗極低，特別是在低負(fù)載條件下，低損耗更為明顯。除MDmesh M2產(chǎn)品的共性柵電荷量（Qg）極低外，M2 EP產(chǎn)品的關(guān)斷能量（Eoff）還可降低20%，而在硬開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器中，關(guān)斷開(kāi)關(guān)損耗同樣降低20%。在低電流范圍內(nèi)降低Eoff損耗，有助于提高低負(fù)載能效，進(jìn)而幫助電源廠商順利達(dá)到日益嚴(yán)格的能效認(rèn)證要求。
改進(jìn)后的關(guān)斷波形（turn-off waveforms）可提高諧振轉(zhuǎn)換器的能效，降低噪聲，每周期回收再利用更多的電能，而不是以散熱的形式浪費(fèi)掉。
新款MDmesh M2 EP系列的主要特性包括：
·極低的Qg（低至16 nC）
·針對(duì)輕負(fù)載條件優(yōu)化電容曲線（capacitance profile）
·針對(duì)軟件開(kāi)關(guān)優(yōu)化Vth和Rg參數(shù)
·穩(wěn)健的本體二極管（body diode）
MDmesh M2 EP系列瞄準(zhǔn)需要高能效的電源應(yīng)用，提供多種封裝選擇（PowerFLAT 5x6 HV, DPAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP, I2PAKFP, TO-247），所有產(chǎn)品均已量產(chǎn)。
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