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功率MOSFET符合嚴(yán)格的能效規(guī)范

2015-09-13 20:11:26 未知

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溝槽型的STripFET F7，低電壓的MOSFET中引入了設(shè)計(jì)用于telecomms，服務(wù)器和臺式PC電源60V器件，以及工業(yè)電源和DC / DC轉(zhuǎn)換器中的太陽能微逆變器。

據(jù)意法半導(dǎo)體，它們滿足嚴(yán)格的能效規(guī)范，最大限度地提高功率密度。 MOSFET的結(jié)合改進(jìn)的傳導(dǎo)效率和開關(guān)性能的簡化溝槽柵極結(jié)構(gòu)，其允許非常低的導(dǎo)通電阻，電容，和柵極電荷。本征體二極管具有低恢復(fù)電荷，這有利于更快地切換。高雪崩堅(jiān)固耐用，確保在惡劣的電氣條件和反向傳輸電容輸入電容（的Crss /西塞）增加抗電磁干擾的低比率強(qiáng)勁的性能。

該MOSFET是專為同步整流和平均所需的最大電流，這有助于提高功率密度，降低元件數(shù)量更少的并行設(shè)備。

有在系列12的部件編號，覆蓋工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)功率封裝和最大電流為90～260A（硅 - 限制連續(xù)漏極電流在Tc 25℃）。可用的軟件包是PowerFLAT 5×6，PowerFLAT 3.3×3.3，DPAK，D2PAK，TO-220，TO-220FP，和二維或六鉛H2PAK。