Vishay推出新的TrenchFET 20V N溝道MOSFET---Si8410DB
2015-03-21 15:20:18 未知 |
Vishay推出新的TrenchFET® 20V N溝道MOSFET---Si8410DB，在可穿戴設(shè)備、智能手機(jī)、平板電腦和固態(tài)驅(qū)動器中節(jié)省空間，降低功耗，并延長電池使用時間。Vishay Siliconix Si8410DB采用芯片級MICRO FOOT®封裝，高度只有0.54mm，在小尺寸1mm2占位的20V器件中具有最低的導(dǎo)通電阻。
Si8410DB適合用作電源管理應(yīng)用里的負(fù)載開關(guān)、小信號開關(guān)和高速開關(guān)，導(dǎo)通電阻極低，在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V下的導(dǎo)通電阻分別為37mΩ、41mΩ、47mΩ和68mΩ。與采用CSP 1mm2封裝的最接近競爭器件相比，這顆器件在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V下的導(dǎo)通電阻小26%、32%、35%和27%。與DFN 1mm2封裝的器件相比，Si8410DB在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V下的導(dǎo)通電阻低32%、40%、48%和43%。器件的低導(dǎo)通電阻，導(dǎo)通電壓低至1.5V，加上±8V VGS，使鋰離子供電的應(yīng)用能實現(xiàn)安全裕量、靈活的柵極驅(qū)動設(shè)計和高性能。
Si8410DB具有30mΩ/mm2的極低導(dǎo)通電阻，比最接近的1mm2塑料封裝的20V MOSFET低20%，在移動應(yīng)用里能夠節(jié)省空間并減少電池功耗。器件的低導(dǎo)通電阻意味著在直流和脈沖峰值電流時的電壓降非常低，以熱的形式浪費掉的電能更少。更低的導(dǎo)通電阻和更低的熱阻，使Si8410DB的溫升比僅次于這顆芯片的采用CSP和1mm2封裝的器件分別低45%和144%。
Si8410DB現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十三周。
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