Vishay推出業內首批通過AEC－Q101認證的采用雙片不對稱功率封裝的MOSFET
2016-07-13 10:04:25 未知 |
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業內首批通過AEC-Q101認證的采用雙片不對稱功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，可在汽車應用的高效同步降壓轉換器中節省空間和電能。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP N溝道TrenchFET®器件把高邊和低邊MOSFET組合進小尺寸5mm x 6mm PowerPAK® SO-8L雙片不對稱封裝里，低邊MOSFET的最大導通電阻低至3.3mΩ。
12V SQJ202EP和20V SQJ200EP把兩顆MOSFET封裝在一個不對稱封裝里，尺寸較大的低邊MOSFET導通電阻較低，較小的高邊MOSFET開關速度更快，可替換性能較低的標準雙片器件，而標準器件會限制大電流、高頻率的同步降壓設計使用最優的MOSFET組合。相比于使用分立器件，這兩顆器件占用的電路板空間更少，能實現更小尺寸的PCB設計。
今天發布的器件可在+175℃高溫下工作，能夠滿足信息娛樂系統、車載信息服務、導航和LED照明等汽車應用對耐用性和可靠性的要求。SQJ202EP很適合總線電壓￡ 8V的應用，通道2的低邊MOSFET的最大導通電阻只有3.3mΩ。20V SQJ200EP適合電壓較高的應用，最大導通電阻為3.7mΩ，稍高一些。兩顆器件都進行了100%的柵極電阻和雪崩測試，符合RoHS，無鹵素。
器件規格表：
產品編號 | SQJ202EP | SQJ200EP | |||
通道 | 1 | 2 | 1 | 2 | |
VDS (V) | 12 | 20 | |||
RDS(ON) (W) 最大值 | @ VGS = 10 V | 0.0065 | 0.0033 | 0.0088 | 0.0037 |
@ VGS = 4.5 V | 0.0093 | 0.0045 | 0.0124 | 0.0050 | |
Qg (nC)典型值 | @ VGS = 10 V | 14.5 | 35.9 | 12 | 29 |
ID(A) | 20 | 60 | 20 | 60 | |
SQJ200EP和SQJ202EP現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十二周。
