國內電壓最高IGBT芯片研制成功
2013-12-30 23:04:24 本站原創今天，由株洲南車時代電氣股份有限公司自主研發的6500伏高壓IGBT芯片及模塊在株洲通過省級鑒定。來自中國工程院、中國科學院的3位院士以及中科院微電子所、南京大學、中南大學等單位的專家認為，該產品具有耐高壓、損耗低、可靠性強等特點，尤其是“解決了芯片短路電流能力與關斷能力難協調的國際性技術難題”，“總體技術處于國際領先水平”。
IGBT芯片，即“絕緣柵雙極型晶體管芯片”，是新一代功率半導體器件。工作中，通過調整柵極電壓的大小和極性，可改變相關控制器的開通與關閉。該產品廣泛應用于軌道交通、智能電網、風力發電、太陽能發電、船舶驅動、電動汽車、工業變流、航空航天以及化工冶金等眾多重要行業和領域，被譽為功率變流裝置的“CPU”、綠色經濟的“核芯”。
此前，我國掌握了低電壓等級條件下IGBT芯片產品的研發、生產、封裝等成套技術。但高電壓IGBT芯片技術一直被英飛凌、ABB、三菱等少數幾個國外企業壟斷、控制。隨著高速動車、大功率機車、智能電網等飛速發展，我國對高電壓條件下的IGBT芯片需求猛增，成為全球最大需求國。
南車時代在引進吸收的基礎上，相繼研發出具有完全自主知識產權的3300伏、4500伏、6500伏IGBT芯片。據介紹，6500伏IGBT芯片是國內目前電壓等級最高超級芯片，與3300伏芯片相比，其功耗降低10%以上，功率提高25%以上，最高工作溫度可到150℃，可靠性更強、安全性能更高、應用范圍更廣。該產品研制成功，打破了國外在這一領域的技術封鎖，填補了國內空白。
目前，南車時代投資15億元建設的國際先進IGBT芯片生產線已進入工藝調試階段，預計明年上半年可以投產。屆時，僅6500伏IGBT芯片一項，每年可為國家節約60億元以上的采購成本。
