意法半導體“無拖尾電流”600V IGBT突破功率設計限制
2013-12-16 20:14:28 本站原創意法半導體的先進的V系列600V溝柵式場截止型(trench-gate field-stop)IGBT[1]具有平順、無拖尾電流的關機特性，飽和電壓更是低達1.8V，最大工作結溫高達175°C，這些優點將有助于開發人員提高系統能效和開關頻率，并簡化散熱設計和電磁干擾(EMI)[2] 設計。
通過消除IGBT固有的關斷拖尾電流特性，意法半導體的新器件提高了開關能效與最大開關頻率。新產品的裸片非常薄，這有助于提高開關和散熱性能。意法半導體獨有的優化的溝柵式(trench-gate)場截止型(field-stop)工藝降低了熱阻，最高結溫高達175°C，同時實現了對飽和電壓等參數的嚴格控制，允許多個IGBT安全并聯，提高電流密度和通態能效。
全新的IGBT非常穩定，具有很高的Dv/dt耐壓能力。與IGBT封裝在一起的超高速軟恢復(soft-recovery)二極管可最大限度降低導通能耗。針對成本更敏感的應用，意法半導體還推出了可無二極管的型號供選擇。
意法半導體的20A至80A V系列IGBT現已投產，采用TO-3P、TO-3PF、TO-220、TO-220FP、TO-247或D2PAK封裝。
[1]IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極晶體管)
[2]EMI，Electromagnetic Interference(電磁干擾)
