Vishay推出業內首款通過汽車電子元件標準AEC-Q101認證的非對稱封裝雙芯片MOSFET
2013-12-12 11:58:47 本站原創非對稱封裝優化低邊MOSFET的RDS(on)，在同步DC/DC轉換器中可節省空間
賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 12 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出通過AEC-Q101認證的采用非對稱PowerPAK® SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的這兩款器件可用于車載應用，把高效同步DC/DC降壓轉換器所需的高邊和低邊MOSFET都組合進小尺寸5mm x 6mm封裝里，比使用分立MOSFET的方案節省空間，低邊MOSFET的最大導通電阻低至6.4mΩ。
今天發布的這些MOSFET是業內首批通過汽車級認證的采用非對稱封裝的雙芯片MOSFET，為降低傳導損耗，增大了低邊MOSFET的尺寸。器件可在+175℃高溫下工作，具有車內任何位置的應用所需的耐用性和可靠性。器件尤其適用于車載通信娛樂系統，例如收音機和GPS系統。
SQJ940EP和SQJ942EP使設計者能夠選用不同的導通電阻值。在10V電壓下，SQJ940EP的溝道2低邊MOSFET的最大導通電阻為6.4mΩ，溝道1高邊MOSFET的導通電阻為16mΩ。與雙芯片對稱方案相比，SQJ940EP的低邊導通電阻低31%，而尺寸同樣小巧。SQJ942EP在10V下的最大低邊導通電阻為11mΩ，高邊MOSFET的導通電阻為22mΩ。
這些MOSFET通過了100%的Rg和UIS測試，符合RoHS，無鹵素。
器件規格表：
|
編號 |
SQJ940EP |
SQJ942EP |
|||
|
通道 |
1 |
2 |
1 |
2 |
|
|
VDS (V) |
40 |
40 |
|||
|
VGS (V) |
± 20 |
± 20 |
|||
|
最大RDS(ON) (mΩ) @ |
10 V |
16 |
6.4 |
22 |
11 |
|
4.5 V |
18.5 |
7.6 |
26 |
13 |
|
SQJ940EP和SQJ942EP現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十四周到十六周。
