IR FastIRFET系列為DC-DC同步降壓應(yīng)用 提供行業(yè)領(lǐng)先效率
2013-09-25 13:58:19 本站原創(chuàng)
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出25V FastIRFET創(chuàng)新功率MOSFET系列，適用于先進(jìn)的電信和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備、服務(wù)器、顯卡、臺(tái)式電腦、超極本 (Ultrabook) 和筆記本電腦等DC-DC同步降壓應(yīng)用。
全新FastIRFET系列配備IR新一代硅技術(shù)，采用符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的PQFN封裝，為分立式DC-DC轉(zhuǎn)換器提供基準(zhǔn)功率密度。該系列包括能夠提供低至0.7 mΩ導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的IRFH4201，以及旨在降低鳴震和進(jìn)一步提升系統(tǒng)效率的IRFH4210D和IRFH4213D單片式FETKY組件。
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“這款先進(jìn)的25V FastIRFET MOSFET為高性能分立式DC-DC開關(guān)應(yīng)用提供行業(yè)領(lǐng)先的功率密度。這些器件與IR旗下的集成式SupIRbuck、PowIRstage和電源模塊平臺(tái)相輔相成，為設(shè)計(jì)人員提供一系列高性能DC-DC轉(zhuǎn)換器。”
IR FastIRFET器件為5V柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用作出優(yōu)化，可與各種控制器或驅(qū)動(dòng)器共同操作，從而使設(shè)計(jì)更靈活，并且以小占位面積實(shí)現(xiàn)高電流、效率和頻率。新器件采用符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的5x6mm和3.3x3.3mm PQFN封裝，環(huán)保物料清單不含鉛，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)。
規(guī)格
|
封裝 |
器件編號(hào) |
在25°C 下的Id max |
典型/最高RDSon |
4.5V下的典型QG (nC) |
4.5V下的典型QGD (nC) |
|
|
@ 10V |
@ 4.5V |
|||||
|
(mΩ) |
(mΩ) |
|||||
|
PQFN 5x6 |
IRFH4201 |
100A |
0.70 / 0.95 |
1.00 / 1.25 |
46 |
16 |
|
IRFH4210D (FETKY) |
0.85 / 1.10 |
1.10 / 1.35 |
36 |
13 |
||
|
IRFH4210 |
||||||
|
IRFH4213D (FETKY) |
1.10 / 1.35 |
1.5 / 1.9 |
26 |
9.2 |
||
|
IRFH4213 |
1.10 / 1.35 |
1.5 / 1.9 |
26 |
9.2 |
||
|
IRFH4234 |
3.5 / 4.6 |
5.6 / 7.3 |
8.2 |
3.1 |
||
|
PQFN 3.3x3.3 |
IRFHM4226 |
40A |
1.7 / 2.2 |
2.6 / 3.3 |
16 |
5.8 |
|
IRFHM4234 |
3.5 / 4.6 |
5.6 / 7.3 |
8.2 |
3.1 |
||
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