美高森美新型新型較大功率和較高電壓MOSFET器件
2013-09-16 21:42:42 本站原創(chuàng)美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布擴(kuò)展高頻率垂直擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(VDMOS) MOSFET產(chǎn)品系列，兩款更大功率、更高電壓(V) VRF2944 和VRF3933器件經(jīng)設(shè)計(jì)在2-60 megahertz (MHz)的工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療(ISM)頻率范圍運(yùn)作，目標(biāo)應(yīng)用包括需要大功率和高增益而不影響可靠性、穩(wěn)定性或互調(diào)失真的商業(yè)和國(guó)防RF功率和寬帶通信。
與包括SD2933的競(jìng)爭(zhēng)器件相比，業(yè)界領(lǐng)先的VRF2944器件在50V供電電壓下提供400W或提高33%的輸出功率。美高森美公司的較大功率器件允許客戶(hù)將現(xiàn)有系統(tǒng)的功率增加33%，或減少其RF功率系統(tǒng)的每瓦費(fèi)用。此外，通過(guò)在MOSFET器件上集成一個(gè)柵極電阻來(lái)提升寄生阻抗，以保持60MHz的最大工作頻率。VRF2944器件與美高森美的前代產(chǎn)品VRF2933相似，能夠在最高65V供電電壓下運(yùn)作，單一VRF2944器件可以提供675W輸出功率。
VRF3933器件能夠在最高100V供電電壓下運(yùn)作，并且提供300W輸出功率，較高電壓MOFET器件還具有較高的輸出阻抗，可以更便利地匹配50Ω負(fù)載。例如，四個(gè)VRF3933器件兩兩并聯(lián)，而且這兩個(gè)并聯(lián)對(duì)器件采用推挽式，能夠通過(guò)4:1變壓器，使用83V供電電壓向50Ω負(fù)載發(fā)送1.1 kW功率。
美高森美公司VRF產(chǎn)品系列的主要特性包括：
· 高于大多數(shù)競(jìng)爭(zhēng)器件的電壓實(shí)現(xiàn)較高的輸出功率：Po與V2成比例;
· 氮鈍化芯片具有高可靠性;
· 金涂敷和金線粘接獲得更高的可靠性，并且
· 通過(guò)美高森美的應(yīng)用工程技術(shù)團(tuán)隊(duì)獲得設(shè)計(jì)支持
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